静态随机存储器抗总剂量辐射性能无损筛选方法研究的开题报告一、选题背景及研究意义随着半导体技术的发展，半导体器件在航空航天等高可靠性领域的应用越来越广泛。但是高能辐射中产生的电离效应会对半导体器件造成不可逆的损伤，从而影响器件的性能与可靠性。因此，在航空航天等领域需要采取有效的措施来确保半导体器件在辐射环境下正常工作。静态随机存储器（SRAM）作为计算机系统中必不可少的存储器件之一，在航空航天等高可靠性领域的应用越来越广泛。然而，SRAM对于总剂量辐射非常敏感，其性能会随着辐射剂量增加而逐渐降低。因此，需要对SRAM的抗辐射性能进行研究，并寻找一种无损的筛选方法，来保证其在辐射环境下的可靠性。本研究旨在探究静态随机存储器的总剂量辐射抗性能，研究不同剂量辐射对SRAM性能的影响，以及开发一种无损的筛选方法来评估SRAM的抗辐射性能，为SRAM在航空航天等高可靠性领域的应用提供支持和保障。二、研究内容及方法1.研究SRAM在不同总剂量辐射下的性能变化规律。2.研究SRAM在不同能量、不同粒子种类的辐射下的性能变化规律。3.开发一种基于自动化测试系统的无损筛选方法，评估SRAM的抗总剂量辐射性能。本研究将在实验室环境下进行，通过对不同剂量、不同能量、不同粒子种类的辐射进行实验，并采用各种测试方法来评估SRAM的性能指标变化。同时，采用自动化测试系统来实现对SRAM性能的无损筛选，以提高效率和可靠性。三、研究预期结果1.探究SRAM在不同总剂量辐射、不同能量、不同粒子种类的辐射下的性能变化规律，为器件的抗辐射设计提供依据。2.开发一种基于自动化测试系统的无损筛选方法，提高SRAM的测试效率和可靠性。3.为SRAM在航空航天等高可靠性领域的应用提供支持和保障。四、研究进度安排1.前期调研（1个月）：对SRAM的总剂量辐射抗性能研究现状及相关技术进行调研和分析。2.实验设计（2个月）：确定实验方案，采集数据，准备实验材料和设备。3.实验与数据处理（6个月）：进行不同总剂量和不同辐射能量、不同粒子的辐射实验，采集数据，并进行数据处理和分析。4.筛选方法开发（2个月）：基于自动化测试系统开发评估SRAM性能的筛选方法。5.研究结论总结与撰写论文（3个月）：对实验结果进行分析总结，并撰写相关论文。五、参考文献1.Huang,Y.,Wang,X.,&Ma,H.(2020).Single-eventupset-freecacheusingredundantlogicwithself-adaptiveoffsettiming.IEEETransactionsonNuclearScience,68(6),1196-1204.2.Xu,Y.,&Lu,H.(2020).Adaptiveductilemechanismof2Dmaterialsasrobustradiation-tolerantdevices.NanoEnergy,72,104710.3.Liu,W.,Zhang,Q.,&Cai,Z.(2020).AnanalyticalmodelforsingleandmultipleeventtransientsinDRAMarrays.IEEETransactionsonNuclearScience,68(3),389-397.