GaN及其三元化合物的MOCVD生长和性质及蓝光LED的研究的任务书任务书研究题目：GaN及其三元化合物的MOCVD生长和性质及蓝光LED的研究研究目的：本研究旨在探究氮化镓（GaN）及其三元化合物（如AlGaN、InGaN）的MOCVD生长方法、生长机制、物理性质、化学性质以及其在蓝光LED领域的应用。通过对其生长条件和控制方法的研究，以及对其物理性质和化学性质的深入探究，促进GaN及其三元化合物在蓝光LED的应用，提高其质量和性能，并进一步推动半导体光电子学领域的发展。研究内容：1.MOCVD生长方法研究：对GaN及其三元化合物在MOCVD生长中的热解机理、生长模式、生长控制、生长参数等进行深入研究，构建出一套优化的MOCVD生长研究方法。2.生长薄膜物理性质和化学性质研究：分析GaN及其三元化合物的物理性质和化学性质，包括光学、电学、结构、磁学、热学等性质，探究其对生长的影响，为蓝光LED的生长提供技术基础。3.蓝光LED性能研究：通过对GaN及其三元化合物生长薄膜的性质、制备工艺和器件设计的研究，探究其在蓝光LED领域的应用，研究GaN基LED电性、光学性能、应力优化等关键技术，提高蓝光LED的发光效率和色纯度。研究方法：1.理论分析法：通过对MOCVD生长理论、物理、化学方面的探究和分析，对生长参数、温度、压力等参数进行分析，构建出优化的生长工艺。2.实验研究法：在MOCVD装置上进行系统化实验研究，确定最优化生长实验条件，分析生长薄膜性质；利用先进的工艺和测试技术对GaN基蓝光LED的性能进行研究。预期成果：1.建立GaN及其三元化合物的优化MOCVD生长方法，并为其脉冲热解生长提供理论基础。2.研究GaN及其三元化合物的物理性质和化学性质，为生长优化提供基础数据。3.提高GaN基LED的光电性能，如提高发光效率和色纯度等。4.探究GaN及其三元化合物在其它领域（如光电器件、光电探测、传感器等）中的应用前景。研究时间安排：第一年：了解MOCVD生长方法和相关知识，分析GaN及其三元化合物的物理性质和化学性质，并制定生长薄膜的实验计划，进行实验操作。第二年：对MOCVD生长优化，完善实验计划，继续进行实验操作，深入研究GaN基LED电性和光学性能等关键技术。第三年：对实验结果进行分析和总结，撰写相关研究成果论文，并开展相关学术交流和推广活动。研究经费：本项研究经费预算为100万人民币，其中70%用于实验设备购买和维护，30%用于论文发表、会议参会等科研推广活动。研究团队：本项目研究团队包括主持人、研究生、博士后等人员，其中主持人具有博士学位和10年以上相关研究经验，研究生、博士后具有本科及以上学历和相关研究经验。研究团队应注重合作和交流，密切配合，提高研究效益。