某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（C）a、700b、650c、100d、-100当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的（B）a、05.b、0.7c、0.9d、1当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了(B)。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）a、10KΩb、2KΩc、1KΩd、0.5KΩ用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B（B）a、一样b、差c、好d、无法判别用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB，都接入负载RL时，测得VOA<VOB，由此必须A比B（C）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A）a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（C）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与VN、VP分别成（D）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（D）A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素半导体中有两种载流子，它们分别是（C）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（B）a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（A）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多，空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A）a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定当PN结外加正向电压时，耗尽层将（C）a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（B）a、5%b、大于5%c、小于5%d、不确定温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（D）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性PN结形成后，PN结中含有（D）a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（A）a、相等b、大于c、小于d、无法确定稳压管能够稳定电压，它必须工作在（D）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（C）a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP10在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（C）。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管放大电路的静态是指（A）a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低b、中c、高d、以上均可三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D）a、反偏，反偏b、反偏，正偏c、正偏，反偏d、正偏，正偏三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（D）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编NPN型和PNP型三极管的区别是（C）a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能温度升高时，三极管极间反向电流将（A）a、增大b、减小c、不变d、无法确定某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V