光刻分辨率增强技术研究的中期报告光刻是半导体工艺中非常重要的一种技术，用于将芯片电路的图形图案转移到半导体晶片上。光刻的分辨率是衡量光刻技术水平的重要指标，分辨率越高，能够刻画的图形越细小，对电路设计的限制也越少。因此，如何提高光刻的分辨率成为了半导体工艺研究的热点问题之一。本文旨在介绍我所在实验室对光刻分辨率增强技术的研究进展情况，主要包括以下内容：1.前人研究成果总结在前人的研究中，已经探索出了很多提高光刻分辨率的方法，如近场光刻、球面偏振器光刻、多层光刻等。这些方法的共同特点是通过将剪切光斑形状来实现对图形的更细致刻画。然而，这些传统方法仍存在着限制，比如近场光刻的加工深度有限，多层光刻的成本较高等问题。2.实验室研究进展在实验室的研究中，我们针对传统方法的局限性，对光刻分辨率增强技术进行了深入探究。首先，我们探索了一种新的光刻技术——电子束光刻（EBL），在EBL的基础上结合了电子束和近场光刻的方法，实现了对芯片电路的更精细加工。EBL技术具有刻画精度高、加工深度大、加工速度快等优点，是一种很有潜力的光刻增强技术。其次，我们还开展了一项研究，利用表面等离子体激元（SPPs）的耦合现象，对光刻分辨率进行了改善。SPPs是一种有序的电磁波，可以在表面上形成纳米级别的结构，这种结构可以用来实现对光学器件的更细致刻画。我们利用SPPs的耦合现象，优化了光刻机的刻蚀深度和分辨率，实现了对10纳米级别的加工精度。3.研究成果展望虽然我们在EBL技术和SPPs技术方面都取得了一定的进展，但是仍存在很多问题需要解决。比如，在EBL技术方面，如何提高加工速度和减少成本是一个重要的问题；而在SPPs技术方面，如何实现对大面积芯片的加工和应用是一个挑战。我们将继续在这些方面开展深入研究，争取尽快实现对现有光刻技术的进一步提升和改进。