低能重离子辐照GaN损伤的实验研究的中期报告本研究旨在探究低能重离子对氮化镓（GaN）材料的辐照损伤效应。本中期报告主要介绍了实验研究的进展情况。1.研究方法本实验采用离子注入的方法进行辐照。选择低能量（50keV）、不同剂量（1×10^14、5×10^14cm^-2）的H+和Ar+离子作为辐照源，研究它们对GaN材料在损伤方面的差异。2.实验结果通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和拉曼光谱等手段对GaN样品进行了分析。发现：（1）低剂量辐照（1×10^14cm^-2）下的GaN，未出现较为明显的损伤。（2）高剂量辐照（5×10^14cm^-2）下的GaN，出现了不同程度的微观结构损伤和晶格缺陷，如位错、孪晶、空位等。同时，GaN的光谱特征也发生了变化，表示其结构和化学成分已发生改变。3.结论离子辐照对GaN材料的影响与辐照剂量和离子种类有关。在低剂量条件下，GaN的结构和性能基本上不会受到损害；在高剂量条件下，GaN的晶格结构和光谱特征会受到显著的变化。这些结果对于GaN材料在核能、航空航天等领域中的应用具有重要的参考价值。