EBSD入门简介EBSD术语什么是背散射电子1.背散射电子（BSE）入射电子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子。能量：>50eV~E0；溢出深度：几百nm2.二次电子（SE）入射电子使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子子。能量：<50eV；溢出深度：5nm~10nm3．吸收电子（AE）进入样品经多次非弹性散射，被样品吸收的部分入射电子。4．透射电子（TE）穿透样品的部分入射电子。材料微观分析的三要素：形貌、成分、晶体结构什么是EBSD技术？FEINano400场发射扫描电镜及HKLEBSP系统5.0EBSD探头大家学习辛苦了，还是要坚持10EBSDsetupEBSPs的产生条件EBSPs的产生原理硅样品晶面电子衍射菊池线示意图典型的EBSP花样不同晶体取向对应不同的菊池花样EBSD如何工作?图像处理及菊池带识别多点自动标定过程两种扫描方式扫描类型面扫描模式快速获得高质量的EBSD数据EBSD有哪些具体分析功能微观组织结构(取向成像)晶粒尺寸分析织构分析晶界特性分析取向差分析相鉴定及相分布……晶粒尺寸、形状分析镍基超合金中的孪晶（红色）硅钢相邻点的取向差分析合金钢中析出相的相鉴定双相钢中相的分布配合能谱数据进行未知相的鉴定空间分辨率:approx.10nm角度分辨率:0.25-1°标定速率:0.01-1s/point样品制备:电解抛光，离子减薄，腐蚀等1.EBSD的原理及应用CHANNEL5软件介绍CHANNEL5CHANNEL5CHANNEL5常用取向成像图方法全欧拉角取向图-AllEuler相邻取向差重构的取向图花样质量重构的取向图