会计学////1提拉法生长(shēngzhǎng)设备介绍3.坩锅(ɡānɡuō)后热器的主要作用是调节晶体(jīngtǐ)和熔体之间的温度梯度。2提拉法生长工艺a生长过程。b直径自动控制(kòngzhì)。（ADC技术）c材料挥发的控制(kòngzhì)。d温场的选择与控制(kòngzhì)。e生长速率的控制(kòngzhì)。3提拉法生长晶体实例－稀土镓石榴石（GGG）a生长(shēngzhǎng)过程/d温场的选择与控制为克服组分过冷，需要有大的温度梯度；为防止开裂、应力和降低位错密度，需要小的温度梯度。因此，所谓合适的温场没有一个严格的判据。一般来说，对于掺质的需要大的温度梯度（特别是界面处）；而不掺质的或者容易开裂的，采用小的温度梯度。因此，合适的温场的选择和控制，只能根据(gēnjù)材料特性作出初步判断，通过实验加以解决。加大温度梯度方法：缩小熔体和熔体上方空间的距离（轴向距离）减小温度梯度的方法：采用适当的后热器3提拉法生长(shēngzhǎng)晶体实例－稀土镓石榴石（GGG）石榴石主要包括的六种矿物：（1）镁铝榴石（Pyrope），也叫红榴石（2）铁铝榴石（Almandine），也叫贵榴石（3）锰铝榴石（Spessartite）（4）钙铝榴石（Grossular），水钙铝榴石（5）钙铁榴石（Andradite），含Cr叫翠榴石（6）钙铬榴石（Uvarovite），也叫绿榴石天然(tiānrán)石榴石YIGYIG人工合成(rénɡōnɡhéchénɡ)GGG天然形成的石榴石主要是金属的硅酸盐例如：Ca3Fe2[SiO4]，Mn3Al2[SiO4]3．人工研制的石榴石，如钇铁石榴石(YIG)、钇铝石榴石(YAG)和钆镓石榴石(GGG)等.以上(yǐshàng)三大类人工石榴石，即由稀士(Yt,Nd）和铁、铝、镓（Ga）分别完全取代天然石榴石中的金属元素和硅，所形成的稀土铁石榴石、稀土铝石榴石和稀土镓石榴石．在这三类稀土石榴石中，稀土铁石榴石(YIG)不透明，难以用作装饰品；稀土铝石榴石(YAG)存在折射率不够(bùgòu)高，不易掺质．稀土镓石榴石(GGG)由于其本身的结构特点，不但能进行多种形式的掺质，而且通过辐照还可以形成稳定的色心，使其单晶体呈现绚丽多彩的漂亮颤色，最适宜作为装饰宝石材料。常用的掺质元素为：Cr,Co,Ni等过渡族元素氧化物和稀土Nd,Er的氧化物。石榴石生长的主要方法在于原料的区别和是否考虑掺杂问题，一般生长过程包括以下(yǐxià)几个方面：a原料准备b保护气氛c生长条件d掺杂生长e晶体的透过率与颜色纯GGG和掺杂(chānzá)Cr3＋纯GGG和掺杂(chānzá)Nd3＋4提拉法生长晶体实例－蓝宝石提拉晶体的放肩控制蓝宝石单晶的应用非常广泛(guǎngfàn)。以蓝宝石单晶片作绝缘村底的集成芯片，航天工业作红外透光材料用得最多；工业中作宝石轴承、仪表等；人们生活中作宝石表面、装饰等。提拉法生长的蓝宝石单晶适用于红外、半导体发光及集成电路的大量需要。Al2O3放肩过程(guòchéng)中可能出现的几种情况5提拉法生长晶体实例－单晶硅的缩颈和收尾(shōuwěi)工艺由于位错往往与生长轴成一个夹角，如果以（100）和（111）晶向生长时，其滑移面与其(yǔqí)生长方向成36.16度和19.28度。故需长出足够长的晶体或通过反复进行的缩颈工艺，能使位错沿着滑移面延伸至晶体表面而消失，从而可生长出无位错单晶体。缩颈工艺通常是采用快拉,将晶体直径缩小到大约为3mm左右./收尾：晶体生长后期，主要防止发生界面翻转和位错的反延，因此当晶体生长的长度达到预定要求时，应该逐渐(zhújiàn)缩小晶体的直径，直至最后缩小成为一个点而离开熔体液面，这就是晶体生长的收尾阶段。6提拉法生长晶体缺陷的形成(xíngchéng)与控制c分凝和组分过冷在适当的范围内，调整(tiáozhěng)G和V是克服组分过冷的最有效，也是最简单的方法。可先采用较大的G来克服组分过冷，然后再用长时间的高温退火来消除GL大而产生的热应力。d温度波动和生长层产生温度波动波动的原因有二i熔体本身(běnshēn)的热流不稳定性造成温度的起伏和振荡。ii生长条件的变化我们把在晶体中溶质浓度的不均匀层称为生长层（条纹）。生长层是晶体生长，特别是熔体生长过程中经常出现的微观缺陷之一。生长(shēngzhǎng)层的形成///主要优点如下：(1)可方便地观察晶体的生长(shēngzhǎng)状况，有利于及时掌握生长(shēngzhǎng)情况，控制生长(shēngzhǎng)条件。(2)生长(shēngzhǎng)晶体不与坩埚接触，没有坩埚壁的寄生