高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触研究的开题报告摘要：本文提出了一种新型的高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触的研究，旨在将其用于下一代高性能集成电路的设计中。该研究包括三个部分：量子阱CMOS器件结构设计和优化、源漏接触的制备工艺研究、以及性能测试及分析。首先，通过建立适当的物理模型和数学模型，对量子阱CMOS器件结构进行模拟和优化。其次，通过UCVD和MOCVD工艺制备NiSiGe源漏接触，并对其进行表征和优化。最后，对制备出的器件进行性能测试和分析，研究器件的电性能和热性能，并评估其在集成电路设计中的应用前景。研究背景：随着集成电路设备比例的不断缩小，电子器件的迁移率成为限制其性能的一个重要因素。SiGe材料因其具有较高的载流子迁移率而被广泛应用于现代半导体器件中。尤其是在MOSFET器件中，SiGe材料可用来替代传统的Si材料，提高器件的性能和功率密度。同时，NiSiGe源漏接触也被证明具有许多优良的电学性质，可以提高器件的导电性能和可靠性。研究意义：本文旨在研究高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触的制备工艺和性能特征，为下一代集成电路的设计提供新的思路和方向。该研究可以为半导体器件的设计和制造提供新的技术支持，提高器件的性能，降低功率消耗，推动集成电路技术的发展。研究内容：1.设计和优化高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET器件结构；2.制备并优化NiSiGe源漏接触，并研究其电学性质和热性能；3.测试和分析制备出的器件的电学性能和热性能，并评估其在集成电路设计中的应用前景。研究方法：1.建立量子阱CMOS器件结构的物理模型和数学模型，进行模拟和优化；2.采用UCVD和MOCVD工艺制备NiSiGe源漏接触，并对其进行表征和优化；3.采用室温和高温测试仪器分别测试制备出的器件的电学性能和热性能。研究预期结果：1.优化高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET器件结构的设计，提高器件的电性能和热稳定性；2.建立NiSiGe源漏接触的制备工艺，并优化其降阻和热稳定性；3.研究和评估制备出的器件在集成电路设计中的应用前景，为下一代半导体器件的研究和开发提供新的技术支持。关键词：高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET、NiSiGe源漏接触、集成电路设计、性能特征分析。