GaAs光电阴极表面模型与计算的中期报告本项目的目标是建立GaAs光电阴极表面模型，通过计算的方式来预测其光致电子发射能力。在前期的研究中，我们先是进行了一些理论分析和文献回顾，了解了GaAs光电阴极的性质和相关计算方法。然后，我们进行了一些实验，在实验室中制作了一些样品，并通过实验测量了其光电发射特性。接下来，我们开始建立表面模型，并使用计算机模拟进行计算。我们使用DFT方法计算了GaAs表面的电子结构和能带图，并使用KMC方法模拟了光致电子发射过程。我们还进行了计算机模拟实验，来验证模型的准确性和可靠性。在当前的中期报告中，我们主要完成了以下工作：1.完成了GaAs表面的电子结构和能带图的DFT计算，并验证了计算结果的准确性和可靠性。2.使用KMC方法模拟了光致电子发射过程，并研究了不同温度和光照强度下的发射性能。3.进一步优化了表面模型，并进行了更加细致的计算机模拟实验，来进一步验证模型的准确性和可靠性。接下来，我们将继续进行研究，并进行更加深入的探索和分析，以期得出更加准确和可靠的结果。