SOI基新型LDMOS高压器件研究的开题报告一、选题背景及意义随着半导体技术的不断发展，压缩型高方位比系统在汽车电子、家用电器、电源系统领域的应用越来越广泛。对于自动驾驶汽车、家用电器等，在一定程度上推波助澜了智能化和高效性的实现，但这在设备操控方面难度较大。其中的高压输送问题，即在中转过程中需要将低压经过升压器升高至目标电压，在这个过程中对电子器件有很高的要求。针对于此种情况，我们需要进行器件级别的优化。本次课题研究的SOI基新型LDMOS高压器件，主要是通过对传统的LDMOS器件的升级改造，完成了对其性能的提升。相比于传统的LDMOS器件，其主要在低电源电压、小尺寸应用中更加适用，这也是我们选用该课题进行研究的主要原因。此外，该课题的研究对于电源系统的功率密度有很大的作用，可以提高电源系统对于汽车、家用电器等的适应性，在能量转换过程中减少电能损耗，提高能源利用率，减少环境污染，为现代科技的进步提供坚实支撑。二、研究内容本次课题研究的主要内容是对SOI基新型LDMOS高压器件进行分析和实验研究，并通过数值模拟的方法对其进行模拟和验证，具体内容如下：1.研究SOI基新型LDMOS高压器件的原理及特性。2.构建SOI基新型LDMOS高压器件的模型，通过软件进行数值模拟和结构设计。3.制作SOI基新型LDMOS高压器件的实验样品，并通过实验验证其特性和性能指标。4.对比传统LDMOS器件和SOI基新型LDMOS高压器件的性能和特点，分析优缺点。5.进行进一步的性能提升和优化。三、研究方法本次研究采用实验和数值模拟相结合的方法。通过传统LDMOS器件的实验结果，对SOI基新型LDMOS高压器件进行模拟和改进设计。在制作样品时，采用浅刻蚀法和离散晶体技术，控制好样品的整体质量，最后通过实验对其性能进行验证。四、研究预期结果1.经过实验和数值模拟，对SOI基新型LDMOS高压器件的性能和特性进行分析并找到其关键问题，通过优化设计提高器件的性能。2.通过实验验证，获得SOI基新型LDMOS高压器件的具体性能指标，分析与传统LDMOS器件的差异，得出优缺点，并对其进行优化和改进。3.在SOI基新型LDMOS高压器件的研究与改进过程中，得出具有普遍适用性的改进方法和思路，并向现实生产中转化。