化学机械抛光中温度场的计算的中期报告本次化学机械抛光中温度场的计算中期报告将介绍以下内容：1.研究背景和目的化学机械抛光作为一种常见的半导体制造工艺，可以用于去除晶圆表面的缺陷和提高表面质量。在化学机械抛光过程中，机械磨削和化学反应同时进行，引起了局部温度升高的现象。因此，了解化学机械抛光中的温度场分布对于优化抛光工艺和提高制造质量具有重要意义。本次研究的目的是利用数值模拟方法研究化学机械抛光过程中的温度场分布，并进一步探讨温度场分布与抛光质量之间的关系。2.研究进展目前，我们已经完成了以下工作：（1）建立了包括机械抛光和化学反应的化学机械抛光模型。（2）利用有限元方法数值求解了化学机械抛光过程的温度场分布。（3）考虑了不同抛光压力、磨料颗粒数目和表面反应速率等参数对温度场分布的影响。3.研究结果通过数值模拟方法，我们得到了化学机械抛光过程中的温度场分布图。结果显示，在机械抛光和化学反应过程中，晶圆表面温度随时间逐渐升高，在抛光结束后逐渐降温。同时，温度场分布受到抛光压力、磨料颗粒数目和表面反应速率等参数的影响。4.下一步工作接下来，我们将进一步研究以下内容：（1）分析温度场分布与晶圆表面质量之间的关系。（2）探究不同工艺参数对温度场分布及抛光质量的影响。（3）通过实验验证数值模拟结果。（4）优化化学机械抛光工艺，提高制造质量。5.结论本次研究利用数值模拟方法计算了化学机械抛光过程中的温度场分布，并考虑了不同参数对温度场分布的影响。未来的研究将进一步探讨温度场分布与抛光质量之间的关系，并通过实验验证模拟结果，以此优化化学机械抛光工艺。