CoNiP及GaN纳米线的合成与物性研究的开题报告题目：CoNiP及GaN纳米线的合成与物性研究一、研究背景纳米线由于其纤细、高比表面积等特性，在能量转换、催化、电子器件等领域具有广泛的应用前景。其中，CoNiP和GaN纳米线具有磁性和半导体特性，具有潜在的应用价值。因此，本研究旨在合成CoNiP和GaN纳米线并研究其物性。二、研究内容本研究将采用水热法制备CoNiP纳米线，以氨气中Mg蒸发的方式制备GaN纳米线。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜及X射线衍射对所制备的纳米线进行表征，并研究其磁性、光学和电学性质。三、研究意义1.合成CoNiP和GaN纳米线并研究其物性，可以为进一步探究其应用提供基础数据和实验依据。2.研究纳米线的物性，可以拓展纳米结构材料在能量转换、催化、电子器件等领域的应用。四、研究计划1.合成CoNiP纳米线并表征其物性，预计耗时3个月。2.制备GaN纳米线并表征其物性，预计耗时3个月。3.学习相关物性测试方法并对合成的CoNiP和GaN纳米线进行磁性、光学和电学性质的测试，预计耗时4个月。4.数据分析和论文撰写，预计耗时2个月。五、研究难点1.CoNiP和GaN纳米线的制备技术。2.纳米线的表征技术。3.磁性、光学和电学性质的测试方法。六、参考文献1.H.Q.Tao,X.G.Li,M.X.Xu,etal.HydrothermalsynthesisofCoNiPnanowiresandtheirmagneticproperties.JournalofPhysicsandChemistryofSolids,2016,99:139–144.2.E.A.Stach,Z.Qin,P.C.McIntyre,etal.Glancingangleevaporatedpillararrays:Fabrication,characterization,andapplications.JournalofVacuumScience&TechnologyB,2003,21(6):2863-2869.3.X.Gu,Y.Sun,W.Zhou,etal.InvestigationoftheopticalpropertiesofGaNnanowiresbycathodoluminescencespectroscopy.JournalofAppliedPhysics,2007,102(2):024314.