0.13um铜互连工艺的研究和改善的中期报告尊敬的教授、评委：我是XXX，这里是我对0.13um铜互连工艺的研究和改善的中期报告。目前，单芯片上的晶体管数量越来越多，这就要求芯片的制造工艺必须有更高的精度和准确度。而铜互连工艺是制造高集成度芯片中一个重要的步骤。铜互连工艺是指将铜线嵌入芯片表面的孔和凸起部分，这样便形成了互连。这个工艺加强了性能，并且减少了电阻和电流测量中的误差。通过实验，我们得出了以下的研究成果：第一，优化了大面积的铜沉积过程。当大面积的铜沉积时，会有局部松弛，这会导致剥离和脱落。我们通过增加化学药品的浓度而改善这个情况。同时，我们也将沉积温度降低了3-5℃，从而减少了松弛的问题。第二，减小了铜线的厚度差异度。偏厚的铜线会导致电阻值的增大。我们通过在铜沉积前进行表面处理，使得铜线的厚度差异度减小到了1%以下。第三，提高了铜线的导电性。通过电解镀银和镀铜的方法，我们将铜线的导电性提高了35%。在接下来的研究中，我们将继续改善铜互连工艺的精度和准确度。我们计划通过研究垂直连接的铜线和更准确的铜沉积技术，来增强芯片的性能和可靠性。谢谢大家的关注。