4H-SiCPiN二极管抗辐照特性研究的中期报告4H-SiCPiN二极管是一种广泛应用于高温、高辐照等极端环境下的电子器件。然而，其抗辐照特性一直是限制其使用寿命和可靠性的主要因素之一。本研究旨在通过研究不同辐照剂量下4H-SiCPiN二极管的电学性能变化，探究其抗辐照特性。实验使用的4H-SiCPiN二极管器件是通过以化学气相沉积（CVD）为基础的生长工艺制备的。器件的结构为4H-SiCN（5×1017cm-3）/I（1.2×1014cm-3）/N（5×1017cm-3），厚度约为30μm。使用Co-60γ射线进行辐照，辐照剂量从0.01Mrad到100Mrad不等。实验结果表明，4H-SiCPiN二极管的正向电阻随着辐照剂量的增加而增加，反向漏电流密度随着剂量增加而显著增加。此外，器件的破坏电压随着辐照剂量的增加而减小。这些结果表明，器件的电学性能受到辐照的影响，尤其是在高剂量辐照下更为显著。这为进一步研究4H-SiCPiN二极管的抗辐照特性提供了重要的基础数据。进一步的研究将包括通过优化器件结构和工艺参数来提高其抗辐照特性，以及分析辐照致损机理，为高温、高辐照环境下电子器件的设计和制造提供更可靠的技术支持。