n型4HSiC欧姆接触的研究的中期报告该研究旨在探究n型4H硅碳化物（4HSiC）欧姆接触特性，并开发新型高性能n型4HSiC欧姆接触。本文为该研究的中期报告。首先，我们使用光刻和胶体颗粒蚀刻等工艺制备了n型4HSiC样品。接着，通过脉冲激光沉积技术（PLD）制备了Ti/Al金属电极，这种电极在其他研究中已被证明可形成稳定的欧姆接触。我们对Ti/Al电极进行了SEM和AFM表征，发现其表面粗糙度较小且Ti和Al的分布均匀。接下来，我们使用I-V测试和Kelvin接触电阻测试仪对样品进行测试。结果显示Ti/Al电极在n型4HSiC上形成了良好的欧姆接触，电流密度为6.7×10⁶A/cm²，并且接触电阻为1.75×10⁻⁴Ω·cm²。此外，我们还进行了不同退火温度下欧姆接触特性的研究，发现在350℃时退火可以显著提高电极的接触特性。同时，我们还对电极/n型4HSiC界面进行了XPS和TEM分析。结果表明，Ti/Al电极在n型4HSiC上形成了良好的化学反应界面，其中Ti和Al原子与SiC原子形成了交互扩散层。此外，TEM图像显示在界面区域的微观结构很均匀，没有观察到明显的缺陷。总的来说，我们成功制备出了高性能的n型4HSiC欧姆接触，并对其特性进行了系统的研究。未来的研究重点将放在进一步优化电极性能，提高其稳定性和可靠性。