第6章半导体器件导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。6.1.1本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的共价键结构共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。二、本征半导体的导电机理大家有疑问的，可以询问和交流2.本征半导体的导电机理温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。6.1.2杂质半导体一、N型半导体二、P型半导体三、杂质半导体的符号总结1.空间电荷区中没有载流子。(1)加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。6.3半导体二极管6.3.2伏安特性6.3.3主要参数4.反向电流IR5.微变电阻rD6.二极管的极间电容（结电容）当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0二极管的应用举例2：（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。稳压二极管的应用举例令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。6.2.2光电二极管6.2.3发光二极管BIC结论:二.电流放大原理IB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为电流放大倍数一.输入特性二、输出特性IC(mA)IC(mA)输出特性三个区域的特点:三、主要参数例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。2.集-基极反向截止电流ICBO4.集电极最大电流ICM6.集电极最大允许功耗PCM