漫反射光谱课件2、漫反射光谱●漫反射:反射峰通常很弱,同时,她与吸收峰基本重合,仅仅使吸收峰稍有减弱而不至于引起明显得位移。对固体粉末样品得镜面反射光及漫反射光同时进行检测可得到其漫反射光谱。●实际测定得就是R’∞,不就是绝对反射率R∞,即相对一个标准样品得相对反射率。●其值依赖于波长F(R’∞)—波长●对应于透射光谱得消光系数●在一个稀释得物种得情况下正比于物种得浓度(相似于Lambert-Beerlaw)。朗伯定律描述入射光和吸收光之间得关系。Kubelka—Munk方程式描述一束单色光入射到一种既能吸收光,又能反射光得物体上得光学关系。1/R∞和Log(1/R∞)——相当于透射光谱测定中得吸收率:log(1/R)=log(100/%R)。用log(1/R)单位就是因为其与样品组分得浓度间有线性相关性。大家有疑问的，可以询问和交流●R∞得确定一般不测定样品得绝对反射率,而就是以白色标准物质为参比(假设其不吸收光,反射率为1),得到得相对反射率。参比物质:要求在200nm–3微米波长范围反射率为100%,常用MgO,BaSO4,MgSO4等,其反射率R∞定义为1(大约为0、98-0、99)、MgO机械性能不如BaSO4,现在多用BaSO4作标准。MgO得光谱BaSO4得光谱二、测定方法紫外分光光度计与紫外漫反射得区别:2、漫反射光与积分球:InSituCell&IntegratingSphere两种测量方式:代替法,比较法2、样品处理2、比比谁得手更白！三、催化剂研究中得应用光谱图3给出了不同温度下烧结得TiO2样品得DRS谱图,由图可见,所有样品都有明显得吸收带边(光吸收阈值),光谱吸收带边位置可由吸收带边上升得拐点来确定,而拐点则通过其导数谱来确定。这种红移趋势说明如下。由图1、图2可知,随着烧结温度得升高,一方面,样品得晶粒尺寸有所增大、当烧结温度低于400℃时,晶粒得增长平缓且尺寸较小,高于400℃时,晶粒得增大明显且尺寸较大,由尺寸量子效应理论可知,当纳米材料得粒径越小,其带隙越宽、尺寸量子效应就越明显、这和在烧结温度低于400℃时,TiO2样品吸收带边红移量较大,高于400℃时,变化比较平缓得现象相一致,表明烧结温度较低得样品具有显著得尺寸量子效应。另一方面,样品得晶型从锐钛矿向金红石转化、由于金红石型得TiO2带隙宽度(3、0eV)比锐铁矿得TiO2(3、2ev)窄,随着烧结温度得升高,金红石相含量逐渐增多,光谱吸收带边发生红移。TiO2样品在365nm处得表现吸光度(用FR值表示)与烧结温度得关系示于图4曲线(2)。可以看出,其变化在400℃处有一个极大值,烧结温度低于400℃得样品,表现吸光度随烧结温度得升高而增强,在400℃时达到最大,此后,随着烧结温度得进一步升高,表现吸光度急剧减弱2、TiO2修饰得介孔分子筛MCM-41得合成、表征及光催化性研究从样品得固体紫外—可见光漫反射吸收谱(图5)可以看到,TiO2修饰得MCM-41对紫外光得吸收边分别为357nm(图5a),370nm(图5b),362nm(图5c),较锐钛矿相得TiO2(吸收边为385nm)有明显得蓝移现象,这种蓝移就是由半导体化合物得小尺寸效应引起得,吸收边得蓝移,也就就是增加得禁带能量、量子力学理论认为,禁带能量改变量与半导体化合物粒子尺寸成反比、3、含硅和钴中孔磷酸铝分子筛得合成及其波谱学性质