NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性研究的开题报告一、研究背景及意义随着集成电路技术的不断发展，尺寸越来越小，材料稳定性和接触质量的要求也越来越高。Ge和Si材料在集成电路中广泛应用，在CMOS技术中，富勒烯结构的NiGe被用作pMOSFET源/漏极接触材料，但是NiGe薄膜的热稳定性和与Ge(Si)接触电学特性仍需要深入研究。因此，本文将研究NiGe(Si)薄膜的热稳定性及其与Ge(Si)接触电学特性，为集成电路技术的发展提供理论基础和实验数据支持。二、研究内容和方法1、研究内容（1）制备NiGe(Si)薄膜（2）研究NiGe(Si)薄膜的热稳定性，探究其在高温条件下的变化规律，比较不同温度下NiGe(Si)薄膜的稳定性差异。（3）研究NiGe(Si)薄膜与Ge(Si)接触电学特性，包括接触电阻、载流子浓度等参数的测量，探究NiGe(Si)薄膜的电学性能随着温度的变化规律。2、研究方法（1）NiGe(Si)薄膜的制备采用化学气相沉积（CVD）技术，控制反应条件制备NiGe(Si)薄膜。（2）采用四探针法测试NiGe(Si)薄膜的电学性质。（3）研究NiGe(Si)薄膜的热稳定性采用热循环实验，通过观察NiGe(Si)薄膜在高温条件下的变化来探究其热稳定性。三、预期结果和意义通过本研究，预期可以得到如下结果：（1）了解NiGe(Si)薄膜的制备方法及其材料组成。（2）探究NiGe(Si)薄膜的热稳定性，比较不同温度下NiGe(Si)薄膜的稳定性差异。（3）探究NiGe(Si)薄膜与Ge(Si)接触电学特性，为其在集成电路中应用提供基础数据。本研究对于集成电路技术的发展有一定的参考价值和意义。