半导体存储器本章学习要点：1、典型的半导体存储器芯片2、CPU与存储器的连接半导体存储器的分类机存取存储器（RAM）:静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）集成RAM（IRAM)半导体存储器只读存储器（ROM）:①掩膜式ROM②一次性可编程ROM（PROM）③紫外线擦除可编程ROM（EPROM）④电擦除可编程ROM（EEPROM）读写存储器RAM只读存储器ROM掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改PROM：允许一次编程，此后不可更改EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM但只能按块（Block）擦除SRAM地址寄存地址译码存储体控制电路AB数据寄存读写电路DBOEWECS结构原理译码器A5A4A3A2A1A06301存储单元64个单元单译码双译码行译码A2A1A0710列译码A3A4A501764个单元地址译码电路①存储体：存储器芯片的主要部分，用来存储信息②地址译码电路：根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元③片选和读写控制逻辑：选中存储芯片，控制读写操作12345678910111213142827262524232221201918171615NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O1I/O2I/O3VssVccWECS2A8A9A11OEA10CS1I/O8I/O7I/O6I/O5I/O4典型SRAM芯片引脚图1)主要引脚：13根地址线A12～A08根数据线I/O8～I/O1片选CS读写WEOE2）、型号——容量——地址引脚数→逻辑图型号——容量：去前两位系列号（62），剩余数字除以8，单位K64/8=8K个单元容量——地址引脚数（N）：2N=容量逻辑图：不管引脚位置，只标出AB、DB、CB引脚例：6116、621282114（1K*4）、典型ROM芯片INTER27C51212345678910111213141516171819202122232425262728A15A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CEA10OEA11A9A8A13A14Vcc27512引脚图1）、引脚图2）、型号——容量——地址引脚数→逻辑图型号——容量：前两位系列号（27）512/8=64K个单元存储器与CPU的连接一、存储器接口应考虑的几个问题1.芯片的选用;2.CPU总线负载能力.二、片选方式常用的片选方式：线选法、全译码法、部分译码法芯片的选用类型：存放信息类型→选ROM/RAM功耗→小系统中为避免复杂，常选择SRAM、大系统中用DRAM生产数量→大批量生产用掩膜ROM和PROM小批量生产中用EPROM时序配合存储器对读写时间的要求小于CPU对读写时间的要求。一般的存储器芯片都能满足这一要求。容量根据要求选择容量和数量，考虑扩展余地；尽量采用单片容量较大的方案：线路简单，调试方便，系统稳定。总线负载问题CPU一般直接驱动一个TTL器件，20个MOS器件，超载时将造成信息的错误。单向→可用74LS244、74LS367、373、Intel8282等芯片来驱动；双向→可用Intel8286/8287来驱动。芯片的连接与扩充三步：①选择芯片类型和计算数量②三总线连接③确定各个芯片地址范围1、扩展单片存储器例：8088扩展8K×8RAM第一步：类型与数量：62641片AD0RDWRAD7ALE8088A12A8M/IOA19A13第二步：三总线连接A80E(6264)A0D7D0A7WEACS1CS28282STBI7O7I0O0OE+5V第三步：确定各个M芯片地址范围范围：00000H～01FFFH例：8088扩展8K×8RAM和4K×8ROM第一步：类型与数量:62671片27321片(6264)A12AD7RDWRAD08088