2-6场效应管放大电路一、绝缘栅型场效应管（MOS管）1、N沟道增强型绝缘栅型场效应管当UGS=0时，无论加上什么样的UDS，D、S之间总有一个PN结反偏，因此ID=0当UDS=0，UGS>0时，栅极的金属板与P型硅衬底之间形成了一平板电容器。P型硅衬底P型硅衬底A、转移特性曲线UGS（V）B、输出特性曲线2、N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管转移特性曲线输出特性曲线增强型与耗尽型的区别：有无原始导电沟道P沟道型场效应管则采用N型硅作衬底，原理完全类似于N型场效应管G双极型；单极型2.6.2场效应管放大电路G1、静态工作点的设置（2）分压式偏置电路+2、动态分析GGGG如果没有旁路电容？GG§2.7多级放大电路及频率特性1、阻容耦合2、直接耦合1、静态分析+2、动态分析*在计算每一级的放大倍数时，要考虑前后级的相互影响Au2Au1+先由各级的静态值计算出rbe1和rbe2++三、阻容耦合电路的频率特性（幅频特性）三个频段：中频段、高频段、低频段表征放大电路频率特性的重要指标频率失真：输入信号中含有各种谐波分量时，若谐波频率超过通频带，则必然产生失真。