三维垂直结构阻变存储器架构和电路关键问题研究中期报告该研究旨在探索三维垂直结构阻变存储器的架构和电路关键问题。本中期报告主要介绍了目前已经完成的工作和下一步的研究计划。首先，我们介绍了阻变存储器的基本原理和现有研究中存在的问题。阻变存储器是一种基于电阻器的非易失性存储器，其优点包括低功耗、高密度、快速读写等。然而，目前的单层阻变存储器仍面临着诸如可靠性、读写误差率等问题，因此需要提出新的解决方案。接着，我们提出了一种新的三维垂直结构阻变存储器架构，该架构利用垂直堆叠技术将多个单层阻变存储器堆叠在一起，以增加存储器的密度和容量。同时，我们也提出了一些解决单层阻变存储器中存在问题的新思路，如使用多种阻变材料、采用多次写入来降低误差率等。最后，我们详细介绍了下一步的研究计划。我们将重点研究三维垂直结构阻变存储器的电路设计和优化，包括读写电路、存储单元的选择和布局等。我们还将设计并验证三维垂直结构阻变存储器的实际性能，以验证其可行性和优越性。总之，该研究将为下一代高密度、高性能存储器的发展提供一个新的思路和可行性解决方案。