第3章存储器本章重点:存储器的分类74LS138译码器的原理和使用存储器编址存储器与CPU的连接3.1存存件存储器和存储器件3.1.1存储器的分类存储器根据用途和特点可以分为两大类：1.内部存储器，简称为内存或主存快速存取容量受限制2.外部存储器，简称为外存容量大速度慢3.1.2半导体存储器的分类1．RAM的种类：在RAM中，按工艺可分为双极型和MOS型两大类。用MOS器件构成的RAM，可分为静态RAM和动态RAM两种。2．ROM的种类：1）掩膜ROM；2）可编程的只读存储器PROM；3）可擦除的EPROM；4）电擦除的EEPROM；5）快速擦写存储器FlashMemory又称快闪存储器静态RAM（SRAM）随机读写半存储器RAM动态RAM（DRAM）导体存掩膜ROM储器可编程ROM（PROM）只读存储器可擦除ROM（EPPROM）ROM电擦除ROM（E2PROM）3.1.3随机存取存储器RAM主要特点:既可读又可写分类：RAM按其结构和工作原理分为：静态RAM即SRAM动态RAM即DRAM1.SRAMNC—128—VCC—速度快A12227—WEA7—326—CS2A6——不需要刷新425425A8A5—524—A9片容量低A4—623—A11A3——功耗大722OEA2—821—A10A1—920—CSA0——2.DRAM1019D7D0—1118—片容量高D6D1—1217—D5D2—1316—D4需要刷新116NC——VCCGND—1415—D3DIN—215—CASWE314——DOUTSRAM－6264RAS—413—A6A0—512512—A3A2—611—A4A1—710—A5GND—89—A7DRAM－21643.1.4只读存储器ROMROM的特点：只许读出不许写入ROM器件的优点：结构简单，所以位密度高。具有非易失性，所以可靠性高ROM的分类根据信息的设置方法，ROM分为5种：掩膜型ROMMOS型双极型可编程只读存储器PROM可擦除可编程只读存储器EPROM可用电擦除的可编程只读存储器EEPROM闪烁存储器（flashmemory）R/B—128—VCCA7—124124—VCCNC—227—WEA6—223—A8A7—326—NCA5—322—A9A6—425425—A8A4—421V—PPA5—524—A9A3—520—OEA4—623—NCA2—619619—A10A3—722722—OEA1—718—CEA2—821—A10A0—817—O7A1—920—CEO0—916—O6A0—1019—D7O1—1015—O5D0—1118—D6D1—1217—D5O2—1114—O4D2—1316—D4GND—1213—O3GND—1415—D3EPROM－2716EEPROM－2817闪烁存储器的特点：非易失性可靠性高速度大容量擦写灵活性3.2存储器与CPU的连接1.存储器和CPU的连接需考虑的问题①高速CPU和较低速度存储器之间的速度匹配问题。②CPU总线的负载能力问题。③片选信号和行地址、列地址的产生机制。2存储器片选信号的产生方式和译码电路„片选信号的产生方式（1）线选方式（线选法）:这种方法不通过译码器，而是将高位地址中的1位或几位作为片选信号。（2）局部译码选择方式（部分译码法）:这种方法将高位地址中的若干位通过译码器组合成片选信号。（3）全局译码选择方式（全译码法）:所有高位地址信号通过译码器构成多个片选信号.„存储地址译码电路74LS138经常用来作为存储器的译码电路。A—116—VCCB—215—Y0C—314—Y1G2A—413—Y2G2B—512512—Y3G1—611—Y4Y7—710710—Y5GND—89—Y674LS138的真值G2AG2BG1CBACBAY7～Y0有效输出00100011111110Y00010010010011111110111111101Y100101011111011Y20010010110111111011111110111Y300110011101111Y400110111011111Y500111010111111Y600111101111111Y7其他值×××11111111无效38088与存储器的连接举例48086与存储器的连接举例第三章习题与思考