国际文献报道·InternationalDocumentsandReports自振荡电子镇流器的设计方法ADesignMethodforaSelf-OscillatingElectronicBallast郑州大学邓隐北编译河南森源电气股份公司尚俊梅摘要：本文提出并分析了利用自振荡指令电路的电子镇流器的设计方法，作为继电控制系统的自振荡电子镇流器，为确定其参数，应用了（等效频率传输的）描述函数及扩展的Nyquist稳定性判据。提供了40W日光灯用电子镇流器的模拟与试验结果，以证实该设计方法的可行性和有效性。关键词：电子镇流器；日光灯；自振荡；谐振滤波器中图分类号：TM4文献标识码：B文章编号：1606-7517(2008)10-7-1201前言研制，旨在寻求一基于电路固有性能的合理设计。因电子镇流器使用了有低通滤波特性的谐振滤波器，应用描述函现在，全世界在人工照明上所耗用的电能，占整个数（describing-function）法能便于表征SOEB的非线性特用电量的比重相当大，在对放电灯供电的领域，降低电能性；同时，利用扩展的Nyquist稳定判据可以导出SOEB消耗的方法之一是采用高频电子镇流器。图1所示为大多的设计计算公式。数日光灯所用的一个电路，也即所谓的自振荡电子镇流器本文包含以下部分：第2节介绍SOEB的分析，以及（SOEB），它将自振荡指令引入电子镇流器中，用于驱用于表征电路性能的模型。第3节提出了利用上述方法的动逆变器的开关。设计程序。第4节为SOEB的设计实例。第5节和第6节给出了模拟与实验结果，最后，第7节概括了基于所得结果的一些结论。2SOEB的分析在本节，SOEB可表示为一非线性控制系统，这样，则能执行表征SOEB电路性能的设计程序。2.1SOEB的工作原理图1所示为SOEB的线路图。该线路图由二极管整流图1SOEB的线路结构桥D1-D4，母线电容器CB，起动电路RQ、CQ、RS、D5和已有很多文献探索了自振荡指令电路在SOEB中的应二端交流开关diac，电感器L和串联电容器CS、并联电容器用，虽发表过有关这一电路设计的一些文章，但均未提出CP（LCC）谐振滤波器，日光灯，电流互感器（CT），金简单而又理想的设计方法。最近，我们致力于自振电路的属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）S1和S2以及齐120·2008.10InternationalDocumentsandReports·国际文献报道纳（稳压）二极管D21-D24等组成。CT的波形以及硬极限（hard-limit）的非线性。假定SOEB电路在稳态下工作，也即，电压Vab（图为了界定设计方法，所作的假定应考虑到需要的、有1）为一方波电压下，其基本的工作原理如下：当电路由意义的参数。故在分析中，电路的寄生电容、漏电感和电Vac接通时，电容器CQ由几乎连续的电压Vbus经RQ充电。阻均予忽略，因这些参数对设计的影响不大。详情在第6当电压VCQ达到diac的导通电压，diac导通，有一正的电压节中讨论。施加于MOSFETS2的栅一源端。其时，S2导通一谐振电结果，可以认为反射到CT副边的线性磁化电流和电感流，该电流经过与CT原边（绕组LP）串联的谐振滤波器器电流（反馈电流）为正弦波形。图2(c)表示齐纳二极管流通，并通过CT的副边绕组（LS1、LS2）反馈。因方波电电流，它是磁化电流iM与谐振电流iS之和。当VZ和iZ穿压Vab施加于谐振滤波器，CT副边的互补性可使开关S1和越零时，其极性改变，因而也改变MOSFETS1和S2的漏S2维持振荡。按照上述SOEB的工作原理，可绘出表征其一源电压。性能的方框图（图3）。图2(d)表示MOSFETS1和S2的作用。当信号加到栅一源极时，其极性改变，可由此图中所示的硬极限非线性2.2SOEB电路性能的表示法表示。对图2(c)所示主要波形的分析可得出结论：电感Lm为了说明SOEB电路的性能，表征其工作原理的线路图和VZ是限定SOEB稳定频率的主要参数。还可发现磁化电示于图2。CT由与磁化电感Lm并联的正弦电流源is代表，流iM的斜率正比于电压VZ，反比于电感Lm。这样，当电背对背连接的齐纳二极管（D21-D24）则与CT模型并联。流iM等于谐振电流iS时，合成的齐纳二极管电流iZ和电压VZ改变它们的极性。在选取MOSFET时，因齐纳电压VZ是限定的，可利用磁化电感Lm作为达到所需开关频率的参数（铁心和匝数）。根据图2SOEB电路性能所作的分析，也可用图3的方框图表示。谐振滤波器和日光灯，用传递函数GF(s)代表，这