黑心片改善.doc
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豪安能以黑心片改善方案1黑心片产生的机理所谓的黑心片是指在电池片EL测试时,其中间会出现完整的同心圆黑区,在黑区转换效率极低。通过实验测试,主要还是原硅片内大量位错引起的防止太能低效(黑心)硅片的原因。通过实验验证和原料的相关性不大,因此和工艺有很大关系其产生的原因有:1、位错引晶时长度不够,位错排除不彻底或者晶棒位错反切不彻底。2.OISF拉晶的热场(V/G)、工艺参数等不完善导致的OISF(氧化诱生层错)2.解决方法:1.单晶生产车间对引晶长度进行管控(大于150mm),在记录本上记录引晶长度。2由于产生的机理不是很明确,需要验证几个因素:1.整棒和断棱(反切后)的棒子的区别。以验证位错的影响。整棒表示单晶标号HA130803203-0,断棱的棒子HA130803203-1(2)2.取整棒头部和尾部的区别。头部:HA130803203-0-A尾部;HA130803203-0-w3.通过验证,对工艺进行调整,然后验证工艺改善。调整热场的工艺拉速,梯度(盖距)等参数。