MgO二次电子发射特性及薄膜制备技术的中期报告摘要：本报告主要介绍了MgO薄膜的制备技术以及其二次电子发射特性。通过研究不同制备条件下的MgO薄膜，发现在某些制备条件下，MgO薄膜具有较好的二次电子发射特性。进一步分析了影响MgO薄膜二次电子发射特性的因素，如膜厚、温度、氧化性等因素。此外，还研究了加热退火对MgO薄膜二次电子发射特性的影响，并探讨了MgO薄膜二次电子发射机理。关键词：MgO薄膜；二次电子发射；薄膜制备技术1.研究背景二次电子发射是指当电子在物质中运动时，部分电子会被物质中的离子激发或电离，进而获得足够的能量逸出物质表面，形成二次电子。这种现象具有一定的应用价值，在电子显微学、离子加速器等领域有广泛应用。而MgO是一种常见的绝缘材料，在电子显微学、光电子学等领域也有广泛应用。因此，研究MgO薄膜的二次电子发射特性对于这些领域的应用意义深远。2.实验方法本实验采用直流磁控溅射法制备MgO薄膜，通过改变制备条件，如溅射功率、基底温度等参数，制备不同性质的MgO薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌；采用X射线衍射(XRD)分析薄膜的晶体结构；采用二次电子显微镜(SEM)测试MgO薄膜的二次电子发射特性。3.实验结果通过实验，我们发现采用较高的溅射功率和较低的基底温度制备的MgO薄膜具有较好的二次电子发射特性。此外，我们还发现MgO薄膜的二次电子发射特性与其表面粗糙度、氧化性等因素有关。当MgO薄膜表面较光滑且具有一定的氧化性时，其二次电子发射性能较好。此外，我们还发现加热退火可以改善MgO薄膜的二次电子发射性能。4.结论与展望本研究证实了MgO薄膜具有较好的二次电子发射特性，其性能受制备条件、膜厚、温度、氧化性等因素的影响。我们认为，通过优化制备条件、加强对MgO薄膜表面氧化性的控制、研究MgO薄膜的二次电子发射机理等方面的研究，可以进一步提升MgO薄膜的二次电子发射性能，拓宽其在电子显微学、光电子学等领域的应用。