第七章外延绪论外延的分类①按工艺分类：气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺；液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延；固相外延（SPE）：离子注入退火过程；分子束外延（MBE，MolecularBeamEpitaxy）②按材料分类同质外延：外延层与衬底的材料相同，如Si上外延Si，GaAs上外延GaAs；异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如Si上外延SiGe或SiGe上外延Si；蓝宝石上外延Si--SOS(SilicononSapphire)；蓝宝石上外延GaN、SiC。③按压力分类常压外延：100kPa；低压（减压）外延：5-20kPa。7.1硅气相外延的基本原理7.1.2外延生长模型7.1.3化学反应—H2还原SiCl4体系7.1.4生长速率与温度的关系7.1.5生长速率与反应剂浓度的关系7.1.6生长速率v与气体流速U的关系7.2外延层的杂质分布7.2外延层的杂质分布7.2.2扩散效应7.2.3自掺杂效应（非故意掺杂）选择性外延（SEG）横向外延（ELO）7.6SOS及SOI技术SOS的不足SOI技术的特点与优势7.7分子束外延（MBE）7.8缺陷及检测7.8.1层错机理：由于原子排列次序发生错乱而产生的缺陷；原因：衬底表面的损伤、玷污、残留的氧化物；外延温度过低、生长速度过高；掺杂剂不纯等。位置：衬底与外延层的界面处。影响：①导致杂质的异常扩散：引起杂质分布不均匀；②成为重金属杂质的淀积中心：引起p-n结的软击穿、低压击穿，甚至穿通。7.8.2层错法测量外延层厚度7.8.3图形漂移和畸变7.8.3图形漂移和畸变7.9外延层电阻率的测量7.9外延层电阻率的测量第5次作业：