第5章存储器系统5.1概述一、存储器的分类半导体存储器分类5.1.3存储器芯片的主要技术指标3、存储周期TC连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。存储器在完成上一次操作后不能马上启动下一次存储器操作，需要有一定的延迟时间。所以存储周期大于存取时间。采用MOS工艺的存储器，存取周期为几十到几百ns以下，双极型RAM存取周期最快可达10ns以下。4、可靠性故障间隔平均时间MTBF约为5×106~1×1085、功耗低功耗器件可提高可靠性；5.2.1、静态随机存储器SRAM6264存储芯片SRAM6264读操作时序图3.SRAM芯片的应用地址译码的方法全地址译码方式全地址译码方式8088系统BUS部分地址译码又分为：例5-1用存储器芯片SRAM6116构成一个4KB的存储系统，要求其地址范围在78000H~78FFFH之间；8088系统BUS单管动态存储元典型芯片2164AX地址译码刷新A0～A75.2.3存储器的扩展2、存储容量的字扩展3、字位扩展5.3只读存储器一个典型的EPROM芯片2764编程写入内存储器整体结构CPU内部寄存器5.4高速缓冲存储器cacheCache的工作原理基于：程序和数据访问的局部性CPU提前成批读入数据到cache90%以上的时间在CPU与cache间运行Cache的大小：是主存的1/128；如：64M的内存，cache应为512KB；命中率达90%以上；系统的平均存取速度:cache存取速度×命中率+RAM存取速度×(1－命中率)两级cache结构：L1---集成在CPU内，8K~64KB；工作频率与CPU相同；L2---放到CPU组件内，128K~2MB；工作频率与CPU内核的频率相同；5.5存储器管理作业微机存储器及其管理虚拟存储器1）存储器管理机制高速内存存储器设计例1分析：