单根一维纳米结构器件的构筑及其性质研究的中期报告本研究旨在构筑单根一维纳米结构器件，并研究其性质。本中期报告将主要从实验构筑过程、器件特性表征以及进一步研究方向三个方面进行介绍。一、实验构筑过程1.模板制备：采用氧化铝模板制备单根一维纳米结构。首先，在硅片上涂覆一层光刻胶，经紫外光暴露、显影等过程制备出极细的正方形图案；再将图案的中央区域蚀去，制备出深度为几百纳米的二维光刻模板；最后，在模板表面氧化形成氧化铝模板。2.溅射沉积：将铝等金属溅射在模板表面进行沉积，制备出纳米线结构。3.剥离氧化铝模板：将氧化铝模板在氢氟酸中浸泡，去除模板，得到单根一维纳米结构。二、器件特性表征1.器件形貌：采用扫描电子显微镜观察器件形貌，可以发现单根一维纳米结构形态规整、纳米线长短均匀。2.光学特性：将器件用紫外光照射，观察器件电学响应，发现其有较好的输运性能、强电流驱动能力和光敏性。3.电学特性：通过搭建实验电路，测量出器件的电阻率、导电性等电学特性参数。三、进一步研究方向1.纳米结构对器件性能影响分析：研究不同纳米结构对器件性质的影响，并优化结构以提高器件性能。2.电学与光学耦合性研究：重点研究器件的光敏性能，探究其内在机制并开发可能的应用。3.其他新材料和器件结构的尝试：尝试采用新材料、新结构及新方法构筑一维纳米器件，以期在科学及应用方面取得更广泛的突破。