半导体物理第一版勘误表页码位置错误更正514行(R=1.09737…)(RH=1.09737…)6第21行电子的质量为M电子的质量为μ6第30行处于h能级处于n能级7倒12行即是即使8式1.128式1.2013式1.4714第10行（4）（3）15第18行由于I、II两区势场为无穷大由于I、III两区势场为无穷大15第18行“因此Ⅰ粒子”因此粒子16第7行17图1.18一维无限深势阱一维有限深势阱17第18行所以所以。18图1.19一维无限深势阱应改为一维有限深势阱20第6行粒子波粒二相性粒子波粒二象性20倒3行20倒3行εE20倒4行εE21倒3行为使被函数有非零解为使波函数有非零解22倒3行求解氦原子求解氢原子25倒4行此段中的把这一段中的全部改成k126第9行28第1行28第1行28第4行28第5行33表格内第4行a=b＝c,α=β=90，γ＝120ºa=b≠c,α=β=90º,γ=120º35图2.1k-k’的箭头指向错误箭头应从左指向右35第6行36第2行38第1行含有闪锌矿的化合物具有闪锌矿结构的化合物38倒1行，排列次序为AaBaAa，排列次序为AaBbAa40式3.540式3.743图3.7价带、导带价带、导带44式3.1245式3.1845式3.2046第19行就等价于一个位于晶体的一个电子从晶体的一边跑到另一边。就等价于一个电子从晶体的一边跑到另一边。47倒数第二行不能在宏尺度上移动不能在宏观尺度上移动48第11行空带不全空，则为绝缘体；空带全空，则为绝缘体；51式3.25去掉（3.25）后的句号54第17行电子从导带进入受主能级所需的最小能量称为受主的电离能。电子从价带进入受主能级所需的最小能量称为受主的电离能。56倒9行但当间隙原子的价电子数较多时但当间隙原子的价电子数较少时56倒2行，在空穴补偿时，杂质起受主作用；在离子补偿时，；由空穴补偿时，杂质起受主作用；由离子补偿时，58式3.3258倒6行游子中电子-空穴之间的距离激子中电子-空穴之间的距离59倒5行晶本的禁带宽度晶体的禁带宽度66式4.66614其中m*为价带空穴其中m*为导带电子66式4.7式中所有的6611因此能量的状态因此，单位体积对应的能量的状态…66式4.967式4.10EcEv67式4.11EcEv68第5行68第14行是要确定的拉各朗日因子是要确定的拉格朗日因子68式4.2068倒数第3行69式（4.24）71倒6行类似的方法，我们可以类似的方法，我们可以得到72第6行电子数参见图4.7。空穴数参见图4.7。73式4.3574式4.3874式4.3974式4.4074第22行2.81×1019cm-3和1.04×1018cm2.81×1019cm-3和1.04×1018cm-375式4.4175式4.4275式4.4376第15行态密度为gi的n个电子状态密度为gi的n个电子78第1行80式4.6381图4.134.13（图题）图4.1382式4.6682式4.6782式4.6883第14行84倒1行下面我们以N半导体材料为例下面我们以N型半导体材料为例85第3行85倒数第10行费米能级大致随杂质浓度的对数值升高而升高，对n型半导体费米能级大致随杂质浓度的对数值升高而升高，而对p型半导体则相反。86倒10行Ec-Ef或Ea-Ev大于2kT时Ec-Ef或Ef-Ev大于2kT时91倒3行93倒7行93图5.4正下方第一行实际上只要研究-2a≤q≤2a实际上只要研究-a≤q≤a94式5.1795式5.24AM+BM=0Am+BM=095最后一段见图5.7见图5.898倒10行这一章中这一节中101图5.16黑点为电子，圆圈为空穴黑点为空穴,圆圈为电子102第21行h0V0103第11行，即由于电场强度。由于电场强度107第3行代入(6.1)式得代入(6.1)式得107式6.3EhEH109式6.16RMRm112式6.20112式6.21114(6.25)式116倒6行同样，位于之间同样，位于之间121倒3行可用冷探针取代替热探针可用冷探针代替热探针121第12行这里σ为材料的电阻（导）率，……这里σ为材料的电导率，……122第3行热点转换效率热电转换效率124图6.27c、d中的‘吸热’、‘放热’镜面反转了126式6.67126式6.68133第4行阶越函数阶跃函数135式7.19166倒1行因此测量少予因此测量少子166式8.56E170式8.59U=G-G0=np-n0p0U=R-G0=np-n0p017714行的复合作用都比较弱0的复合作用都比较弱。183倒6行的正电荷来自于电离的受主。的正电荷来自于电离的施主。184式9.4E185式9.11E191第10行191倒7行加正电压，半导体