半超结快恢复功率二极管的工艺特性研究的中期报告半超结快恢复功率二极管（SFPRD）是一种新型的功率器件，其具有快速恢复时间、低反向漏电流和大的正向导通电流等优点。本研究对该器件的工艺特性进行了研究，现提出中期报告如下：1.材料选择：碳化硅作为基板材料，金属化处理提高与金属附着性能，阳极氧化制备硅氧化层保护基片表面。2.工艺流程：采用晶圆电镀制备N型硅，一次扩散制备P型硅。杂质的扩散温度和时间控制在1350℃和60分钟以内，以免影响器件的电性能。通过刻蚀和沉积等步骤制备金属电极。3.特性测试：使用IV测试仪测量SFPRD的正向导通特性和反向击穿特性。测试结果表明，该器件具有大的正向导通电流和低的反向击穿电压，符合设计要求。4.接下来的研究：优化电极的布局和尺寸，以进一步提高器件的性能。进一步研究材料的物理特性和加工工艺，不断改进SFPRD的性能和稳定性。总之，对半超结快恢复功率二极管的工艺特性进行研究是十分必要的。本研究所提出的工艺流程和特性测试结果为SFPRD的后续研究提供了有力的基础和参考。