GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究中期报告中期报告一、研究背景金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）被广泛应用于集成电路中作为开关和放大器。其制备过程主要涉及钝化层的制备和薄膜的沉积。GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究旨在优化GeMOS结构中的钝化层制备和MOSFET器件制备过程，以实现更高的电性能。二、研究内容1.GeMOS界面钝化层制备采用原子层沉积（ALD）技术制备GeOx/Ge界面钝化层。通过改变沉积工艺参数控制钝化层的厚度和质量。实验结果表明，在沉积温度为300℃、氧化硅前驱体为SiH2（OC2H5）2和H2O时，可以得到良好的GeOx/Ge界面钝化层，其厚度约为1.2nm。2.MOSFET器件制备采用标准的CMOS工艺制备GeMOSFET器件。将GeMOS结构纳入标准CMOS流程中，通过多次光刻、腐蚀和沉积等步骤，得到GeMOSFET器件。实验结果表明，通过优化接触电极制备工艺，可以大幅度提高器件的电学性能。三、研究进展目前，我们已经成功制备了GeOx/Ge界面钝化层，并通过TEM和XPS等手段对其进行了表征。GeMOSFET器件也已制备完成，在测试中表现出良好的电学特性。下一步，我们将进一步优化器件制备过程，提高器件的性能，并研究GeMOSFET器件的热稳定性和可靠性。四、结论与展望本研究在GeMOS界面钝化层制备和MOSFET器件制备方面取得了初步进展，为实现更高性能的GeMOSFET器件奠定了基础。未来我们将进一步探索新的结构和工艺，进一步提高器件性能，为集成电路的发展做出贡献。