ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究的中期报告本中期报告主要介绍了针对ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究所做的工作和取得的结果。具体内容如下：1.ZnO基薄膜的制备采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备ZnO基薄膜。优化了制备工艺参数，得到了表面质量较好、晶粒细小、晶格匹配的ZnO基薄膜。2.ZnO基薄膜的表征利用X射线衍射仪、原子力显微镜和透射电子显微镜等技术对ZnO基薄膜进行了表征。结果表明，制备的ZnO基薄膜具有高结晶度、均匀性好、微观形貌规整等性质。3.ZnO基场效应晶体管的制备和性能研究采用光刻和蒸发技术制备了ZnO基场效应晶体管，并测试了其电学特性。通过实验发现，在合适的工艺条件下可以得到较高的电流增益和比较宽的工作范围。4.ZnO基发光器件的制备和性能研究采用溅射法在n型ZnO基薄膜上沉积p型材料，制备了ZnO基发光器件，并测试了其光电特性。实验结果表明，制备的ZnO基发光器件具有较高的光电转换效率和较好的发光特性。综上所述，本研究在ZnO基薄膜和器件的制备及性能研究方面取得了一系列重要进展。下一步将继续探究ZnO材料的物理和化学性质，为ZnO基器件在先进光电子、能源等方面的应用提供支持。