集成电路(jíchéng-diànlù)设计IC中有多种电容结构MOS电容结构PN结电容结构金属(jīnshǔ)叉指电容结构多晶硅/金属(jīnshǔ)-绝缘体-多晶硅电容IC中主要电容器MOS电容PN结电容MOS电容器与平板电容和PN结电容都不相同(xiānɡtónɡ)。因为金属-氧化物-半导体层结构的电容具有独特的性质。电容—电压特性取决于半导体表面的状态,随栅极电压变化，表面可处于：积累；耗尽;反型.PAl二、PN结电容§4.2集成电阻器及版图(bǎntú)设计1、合金(héjīn)薄膜电阻方块(fānɡkuài)电阻的几何图形根据掺杂工艺来分类(fēnlèi)扩散电阻对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻，精度较难控制离子注入电阻离子注入方式形成的电阻，阻值容易控制，精度较高利用与集成电路兼容的扩散层构成，主要(zhǔyào)根据掺入杂质浓度和扩散形成的结深决定阻值。N+发射区沟道电阻（夹层电阻）利用不同掺杂(chānzá)层之间的沟道形成的电阻器因结深难以精确控制，所以沟道(ɡōudào)电阻的阻值也不能精确控制，精度要求高的电路不能采用沟道(ɡōudào)电阻。MOS多晶硅电阻(diànzǔ)集成电路中几种(jǐzhǒnɡ)扩散电阻器的比较扩散电阻的功耗(ɡōnɡhào)限制(PAmax/R□)1/2扩散(kuòsàn)电阻的最小条宽晶体管有源电阻(diànzǔ)晶体管有源寄生(jìshēng)电阻§4.3集成电路(jíchéng-diànlù)的互连技术和电感在连接线传输大电流时，应估计其电流容量(róngliàng)并保留足够裕量。集成电路总电感可以有两种形式(xíngshì)单匝线圈多匝线圈/微米设计规则以微米为尺度表示版图最小允许值得(zhídé)大小。按比例缩小(suōxiǎo)原则双极型集成电路(jíchéng-diànlù)基本制造工艺相应的版图第二次光刻P+隔离(gélí)扩散孔光刻第四次光刻N+发射区扩散(kuòsàn)孔、集电极引线扩散(kuòsàn)孔光刻第六次光刻金属化内连线(liánxiàn)光刻-反刻铝栅压为零时，沟道(ɡōudào)不存在，加上一个正的栅压才能形成N型沟道(ɡōudào)硅栅CMOS器件(qìjiàn)(反相器)/CMOS反相器工作(gōngzuò)原理N阱CMOS设计(shèjì)规则N阱硅栅CMOS工艺流程(ɡōnɡyìliúchénɡ)CMOS反相器//////////////////版图(bǎntú)设计/六.双极和MOS集成电路(jíchéng-diànlù)的比较掌握各种电阻、电容，电感，认识相应的结构图扩散电阻的最小线宽受哪些因素限制，理解每一种因素理解版图设计规则和按比例缩小原则PNP晶体管和双极集成电路版图的设计CMOS反相器原理，结构图以及N阱硅栅CMOS工艺(gōngyì)双极和MOS集成电路比较感谢您的观看(guānkàn)。