第五节：电路运行条件对PM开关过程的影响模型中的三个电容为极间电容板间电容与数值均与有关，当时，各电容的数值随而急剧上升，当，各数值就趋于稳定。2.极间电容中的位移电流对转移特性无影响，即上面的模型可用于动态和静态二.纯阻负载下PM的开关过程（2）开通过程:3）三.感性负载下PM的开关过程时间常数:4.电压下降区(时区D),PM仍在放大区五.栅极电荷特性：1）当时，S关断，开始充电，线性上升，由于3）<二>电路条件对栅极电荷特性的影响2.驱动功率很小,可以略去不计MOSFET与IGBT的驱动电路以UC3724和UC3725为例讲述这种驱动电路5.特点:UC3724和UC3725共电源共电压,控制信号的频率不宜大于100KHZ<二>半桥电路的驱动电路IR211X系列(100KHZ以下)1.电路结构:LS1的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VCC(3)与Com(2)LS2的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VB(6)与VS(5)Hi6.IR2110的应用电路和自举电路DB和CB组成了自举电路,当T6/On时,式中,UR是允许的最小压降,大于8V,KB>1,KB为安全系数逻辑结构如图2-31(a)所示,方框1为过流保护,方框2为信号隔离,方框3为电压变换电路方框2:信号隔离电路,由光耦ISO1组成过流保护：图1-41(a)电流检测端，相当于附加了一个源极