CMOS射频压控振荡器和功率放大器设计的中期报告本次中期报告主要介绍了CMOS射频压控振荡器和功率放大器设计的研究进展。首先，我们对压控振荡器的设计进行了探讨。通过仿真和实验，我们测试了几种基于CMOS工艺的VCXO电路的性能。首先，我们测试了两种不同类型的VCXO电路：基于反相器和振荡电路的电容-电感（LC）串联电路和基于反相器和正比例积分器的电压控制晶体振荡器（VCXO）。实验结果表明，后者对频率透明比更为敏感，而前者比较容易受到工艺变化的影响。我们还测试了两种不同的自激振荡电路：互相耦合的振荡器和反相器串联的振荡器。实验结果显示，前者拥有更好的相位噪声性能，而后者拥有更高的功率效率。综上所述，我们建议在设计中使用反相器串联的VCXO，以提高性能和稳定性。其次，我们研究了CMOS射频功率放大器的设计。我们测试了不同类型的功率放大器设计：共源放大器、共基放大器和共集放大器。实验结果表明，共集放大器具有更好的增益和过载性能，但其线性范围较小。在功耗和面积上，共基放大器相对于其他两个设计更为优秀。综上所述，我们建议在设计中使用共基放大器来平衡功率和性能的需求。最后，我们进行了实际系统的集成和测试。测试结果表明，射频前端电路的性能良好，可以满足需要。但是由于部分器件的不稳定性和温度特性的影响，我们需要在系统级别上进行更多优化。我们将进一步研究优化系统级别的电路设计和集成，以提高整体性能和稳定性。总之，我们在CMOS射频压控振荡器和功率放大器设计方面取得了一定的研究进展，但我们仍需要深入研究和优化。我们将继续全力推进研究，并在未来取得更好的结果。