微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的研究的开题报告题目：微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的研究选题的背景：近年来，随着人们对环保能源的不断追求，太阳能电池作为一种最为直接、最为重要的化石能源替代品，备受瞩目。太阳电池的质量和效率直接关系到太阳能电池能否广泛应用，而薄膜太阳电池则是最为重要的一种太阳电池。在薄膜太阳电池中，微晶硅薄膜太阳电池被认为是较好的一种选择。而n/i界面是微晶硅薄膜太阳电池的精华所在，直接关系到薄膜太阳电池的效率。为了提高微晶硅薄膜太阳电池的效率，需要研究n/i界面及其性质。选题的目的和意义：本研究主要从n/i界面入手，探究微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的电学和光学性质，为薄膜太阳电池效率的提高提供理论指导。同时，本研究可以从实际应用的角度，对微晶硅薄膜太阳电池的工业化应用提供支持。选题的内容和研究方法：本研究主要包括以下几个方面的内容：1.研究n/i界面的电学性质，包括电势、电场、能带结构等等，尤其是研究界面缺陷的形成、种类与密度。2.研究n/i界面的光学性质，包括反射率、吸收系数、折射率、透过率等等，分析微晶硅薄膜太阳电池的光捕捉效应。3.基于电学和光学性质，探究微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的影响因素，并提出优化方案，提高微晶硅薄膜太阳电池的效率。本研究将采用第一性原理计算方法，结合实验数据进行分析。在实验方面，将通过采用PECVD技术制备微晶硅薄膜太阳电池样品，进行效率测试；在计算方面，将采用VASP软件，建立微晶硅薄膜太阳电池模型，并进行第一性原理计算。参考文献：1.刘躲珂,邱万春,孙林宝,江士煜,周卫东.n/i双夹杂结的微晶硅薄膜太阳电池.物理学报,2002,51(12):2938-2941.2.BlaikieSR,MottetC,LöfflathC,etal.Aphotoelectrochemicalstudyofthesiliconthin-filmn/iinterface.JournalofAppliedPhysics,2003,94(2):1157–1163.3.PironR,CabarrocasPRI,LöfflathC,etal.Correlationbetweenthep/iandn/iinterfacepropertiesandthecellperformancesofamorphoussiliconsolarcell.JournalofAppliedPhysics,2007,101(10):104504.