目录光刻胶的定义及其作用光刻胶的成分光刻胶的主要技术参数光刻胶的分类光刻胶的主要应用领域光刻工艺流程定义:光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作用：a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中；b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。光刻胶的定义及其作用光刻胶的成分树脂：光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来将其它材料聚合在一起的粘合剂。光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。感光剂：感光剂是光刻胶的核心部分，它对光形式的辐射能，特别在紫外区会发生反应。曝光时间、光源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的。溶剂：光刻胶中容量最大的成分，感光剂和添加剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有良好的流动性，可以通过旋转方式涂布在wafer表面。添加剂：用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂。光刻胶的主要技术参数分辨率（resolution）：是指光刻胶可再现图形的最小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。对比度（Contrast）：指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。敏感度（Sensitivity）：光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米mJ/cm2。粘滞性/黏度（Viscosity）：衡量光刻胶流动特性的参数。光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加。粘附性（Adherence）：是指光刻胶与晶圆之间的粘着强度。抗蚀性（Anti-etching）：光刻胶黏膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬体表面，这种性质被称为抗蚀性。表面张力（SurfaceTension）：液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。1.根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类正胶（PositivePhotoResist）：曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。负胶（NegativePhotoResist）：反之。光刻胶的分类正胶负胶曝光显影waferPR掩模板氧化膜光刻胶的分类正胶优点分辨率高、对比度好缺点粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本灵敏度曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量负胶优点良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快缺点显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率灵敏度保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量2.根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶（正胶和负胶）适用于紫外光（UV），I线365nm、H线405nm和G线436nm，关键尺寸在0.35um及其以上。化学放大光刻胶（CAR，ChemicalAmplifiedResist）适用于深紫外光（DUV），KrF准分子激光248nm和ArF准分子激光193nm。光刻胶的主要应用领域模拟半导体AnalogSemiconductors发光二极管LED=Light-EmittingDiode微电子机械系统MEMS=MicroElectroMechanicalSystem太阳能光伏SolarPV微流道和生物芯片Microfluidics&Biochips光电子器件/光子器件Optoelectronics/Photonics封装Packaging光刻工艺流程前处理涂胶软烘烤对准曝光PEB显影硬烘烤检验光刻工艺流程1.前处理（1）微粒清除wafer表面的杂质微粒会影响光刻胶的粘附，且会损坏光刻的图形，造成成品率的下降，所以必须要清洁掉表面的杂质颗粒、表面沾污以及自然氧化层等。微粒清除方法：高压氮气吹除，化学湿法清洗，旋转刷刷洗，高压水喷溅等。（2）烘干经过清洁处理后的晶圆表面会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须将其表面烘烤干燥（干燥的表面为憎水性表面），以便增加光刻胶和晶圆表面的粘附能力。光刻工艺流程保持憎水性表面的方法：一种是把室内湿度保持在50%以下，并且在晶园完成前一步工艺之后尽可能快地对晶园进行涂胶。另一种是把晶园储存在用干燥且干净的