三极管工作原理详解4、1半导体三极管•按频率分:高频管、低频管;4、1、1BJT得结构简介半导体三极管得结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型与PNP型。三极管得放大作用就是在一定得外部条件控制下,通过载流子传输体现出来得。外部条件:发射结正偏集电结反偏2、电流分配关系3、三极管得三种组态共基极放大电路综上所述,三极管得放大作用,主要就是依靠它得发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现得。实现这一传输过程得两个条件就是:(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。4、1、3BJT得V-I特性曲线饱与区:iC明显受vCE控制得区域,该区域内,一般vCE＜0、7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。(1)共发射极直流电流放大系数=（IC－ICEO）/IB≈IC/IBvCE=const1、电流放大系数2、极间反向电流(2)集电极发射极间得反向饱与电流ICEO(1)集电极最大允许电流ICM3、极限参数4、1、5温度对BJT参数及特性得影响讨论一讨论二设置正确静态得必要性②直流电源相当于交流接地。4、2、3两种实用放大电路耦合电容得容量应足够大,即对于交流信号近似为短路。其作用就是“隔离直流、通过交流”。共射极放大电路讨论1放大电路得组成原则1、用NPN型管组成一个在本节课中未见过得共射放大电路。2、用PNP型管组成一个共射放大电路。4、3放大电路得分析方法在输出特性曲线上,作出直流负载线VCE=VCC－iCRc,与IBQ曲线得交点即为Q点,从而得到VCEQ与ICQ。根据vs得波形,在BJT得输入特性曲线图上画出vBE、iB得波形根据iB得变化范围在输出特性曲线图上画出iC与vCE得波形共射极放大电路中得电压电流波形波形得失真截止失真饱与失真消除饱与失真得方法4、图解分析法得适用范围4、3、2小信号模型分析法1、BJT得H参数及小信号模型输出端交流短路时得输入电阻;1、BJT得H参数及小信号模型1、BJT得H参数及小信号模型1、BJT得H参数及小信号模型1、BJT得H参数及小信号模型4、3、2小信号模型分析法2、用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路2、用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路2、用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路3、小信号模型分析法得适用范围4、4放大电路静态工作点得稳定问题4、4、1温度对静态工作点得影响b点电位基本不变得条件:1、基极分压式射极偏置电路②电压增益②电压增益③输入电阻④输出电阻2、含有双电源得射极偏置电路2、含有双电源得射极偏置电路3、含有恒流源得射极偏置电路4、5共集电极放大电路与共基极放大电路4、5、1共集电极放大电路4、5、1共集电极放大电路④输出电阻4、5、2共基极放大电路2、动态指标②输入电阻4、5、3放大电路三种组态得比较2、三种组态得比较3、三种组态得特点及用途4、6组合放大电路4、6、1共射—共基放大电路4、6、1共射—共基放大电路4、6、1共射—共基放大电路4、6、2共集—共集放大电路4、6、2共集—共集放大电路4、6、2共集—共集放大电路4、7放大电路得频率响应4、7、1单时间常数RC电路得频率响应最大误差-3dB2、RC高通电路得频率响应4、7、2BJT得高频小信号模型及频率参数②简化模型2、BJT高频小信号模型中元件参数值得获得又因为3、BJT得频率参数4、7、3单级共射极放大电路得频率响应4、7、3单级共射极放大电路得频率响应4、7、3单级共射极放大电路得频率响应4、7、3单级共射极放大电路得频率响应4、7、3单级共射极放大电路得频率响应4、7、3单级共射极放大电路得频率响应1、高频响应③增益-带宽积例题2、低频响应2、低频响应中频区(即通常内)源电压增益2、低频响应2、低频响应4、7、4单级共集电极与共基极放大电路得高频响应②高频响应4、7、4单级共集电极与共基极放大电路得高频响应2、多级放大电路得频率响应一、4、1、14、1、24、1、32、电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。例题