三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。双极型三极管的电流分配关系及放大作用会，基区做得很薄，一般为几个集电极-发射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）此时UCE小于UBE,规定：UCE=UBE时，为临近饱和状态，用UCES（或）表示，此时集电极临近饱和电流是不同类型MOS管的电路图符号若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C，红表棒接假定的发射极E。阻很大，指针基本不动。(3)MOS管不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。收集边缘载流子，掺杂浓度界于指针偏转，说明管子正向导通，因此为PNP型。指针不动，说明管子反偏截止，因此为NPN型。用万用表测试三极管好坏及极性的方法场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于双极型晶体管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。结论指针偏转，说明管子正向导通，因此为PNP型。不同类型MOS管的电路图符号场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而双极型晶体管工作时基极总要取一定的电流。偏转小的反映其放大能力下降，即集电极和发射极接反了。令UBB重新从0开始增加但总的来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管。集电极反向饱和电流ICBO,是少数载流子运动的结果，其值越小越好。UBE＝0V，UCE＝4V；(4)焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。(a)(b)(c)(a)(b)(c)电子在基区的扩散和复合过程双极型三极管的特性曲线UCE=0.5V(2)输出特性曲线当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC。之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。UCE/V例1:用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地电位分别为V1=+10V，V2=0V，V3，如图（a）所示,T2管各电极电位V1=+0V，V2，V3=-5V，如图（b）所示，试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子，x、y、z各是何电极？（1）在图（a）中，3与2的电压为，可确定为硅管，因为V1>V3>V2,，所以1为集电极，2为发射极，3为基极，满足VC>VB>VE,的关系，管子为NPN型。（2）在图（b）中，1与2的电压为，可确定为锗管，又因V3<V2<V1,，所以3为集电极，1为发射极，2为基极，满足VC<VB<VE的关系，管子为PNP型。（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。三极管的主要参数3.极间电流4.温度对晶体管参数的影响晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。用万用表测试二极管好坏及极性的方法用万用表测试三极管好坏及极性的方法若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C，红表棒接假定的发射极E。两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)。注意观察电表指针偏转的大小；之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小。1.三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？放大电路基本组成1.5单极型三极管1、MOS管的基本结构MOS管电路的连接形式不同类型MOS管的电路图符号2.工作原理怎样才能产生导电沟道呢？导电沟道形成时，对应的栅源间电压UGS=UT称为开启电压。IDMOS管的工作过程可参看下面动画演示：3.MOS管使用注意事项单极型晶体管和双极型晶体管的性能比较在使用MOS管时，为什么栅极不能悬空？谢谢观看！感谢观看