AlGaNGaN异质结器件的肖特基接触研究的中期报告该研究旨在探究AlGaNGaN材料的肖特基接触特性，并利用这些特性设计并制备具有优异性能的AlGaNGaN异质结器件。在中期报告中，我们完成了以下工作：1.成功合成了AlGaNGaN材料，通过扫描电子显微镜和X射线衍射技术对其进行了表征，确认了其化学组成和结晶性能。2.利用真空蒸镀技术分别在AlGaN和n型GaN材料上制备了金属电极并制备了肖特基二极管。通过电性能测试和X射线光电子能谱仪表征了二极管的电学特性和材料接触质量。3.进一步探究了AlGaNGaN材料的肖特基接触特性，尤其是对其界面能级和势垒高度进行了深入研究。在此基础上，设计出了一种新型AlGaNGaN异质结器件。4.采用光刻和电子束曝光技术制备了新型器件，并通过电学特性和光电子性能测试验证了其性能表现。综合来看，本研究已经取得了初步的成果，为进一步优化和改善AlGaNGaN异质结器件性能奠定了基础。在后续工作中，我们将继续对材料和器件特性进行更深入的研究，并寻求更多的方法来提高器件性能。