GaN基欧姆接触及AlGaNGaNHEMT器件研究的中期报告本研究的中期报告主要集中在GaN基欧姆接触和AlGaNGaNHEMT器件的研究上。以下是具体内容：1.GaN基欧姆接触研究在GaN基欧姆接触研究中，我们通过原子层沉积(ALD)技术制备了镍/钛双金属欧姆接触，并检测了不同温度下接触的电学性能。结果表明，该接触在200℃时具有最佳的欧姆接触性能，并且在高温下也具有稳定性，这对于高温应用具有重要意义。2.AlGaNGaNHEMT器件研究我们还研究了AlGaNGaNHEMT器件的制备工艺和电学性能。采用气相外延（MOVPE）技术在SiC衬底上生长了AlGaN/GaN异质结，并采用电子束光刻、等离子体刻蚀等工艺，制备了多个不同尺寸的HEMT器件。我们测试了这些器件的压阻特性、寄生电容等参数，并得到了HEMT器件的DC和射频特性。结果表明，我们制备的HEMT器件具有良好的电学性能和改善的射频特性，这对于高频应用具有重要意义。综上所述，我们在GaN基欧姆接触和AlGaNGaNHEMT器件方面取得了一定的进展，并将继续深入研究相关内容，以推动GaN器件的发展。