场效应管放大器目录3.1结型场效应管JFET结构与符号导电沟道两个P+区与N区形成两个PN结，夹在其中的N区是电子由源极流向漏极的通道，称为导电沟道。受控机理通过改变加在PN结上的反向偏压(栅源电压uGS)的大小来改变耗尽层的宽度，进而改变导电沟道的宽度，以达到控制沟道漏极电流的目的，漏极电流iD受控于uGS。uGS控制iD(uDS=C0)uDS增大时，沟道变窄，沟道电阻增大。以预夹断为分界线，预夹断前iD增大，预夹断后iD近似恒定。放大原理1.输出特性曲线（1）截止区可变电阻区：对应预夹断前状态特点：固定uGS，uDS­则iD近似线性­————电阻特性固定uDS，变化uGS则阻值变化————变阻特性放大区：对应管子预夹断后的状态特点：受控放大，iD只受uGS控制úuGSç­则iD¯击穿区：对应PN结击穿状态特点：uDS很大iD急剧增加预夹断后转移特性曲线重合曲线方程条件3.1.3结型场效应管的特性曲线3.1.3结型场效应管的特性曲线3.1.3结型场效应管的特性曲线3.2绝缘栅场效应管根据栅极绝缘材料分为金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET或MOS)；金属-氮化硅-半导体场效应管(MNSFET或MNS)；金属-氧化铝-半导体场效应管(MALSFET)。根据导电沟道类型分为:N沟道和P沟道。根据是否存在原始导电沟道分为:增强型和耗尽型。3.2.1半导体的表面场效应N沟道增强型MOSFETuGS=0时，无导电沟道(夹断状态)uGSUGS(th)时，产生导电沟道(开启状态)定义开启电压UGS(th)为刚开始出现导电沟道时的栅源电压值。当时，uDS<(uGS–UGS(th))开启状态iD>0小结：iD受控于uGS:uGS↓则iD↓直至iD=0；iD受uDS影响:uDS↑则iD先增随后近似不变。预夹断前uDS↑则iD↑以预夹断状态为分界线预夹断后uDS↑则iD不变。UGS(th)=4V放大区：对应管子预夹断后的状态特点：受控放大uGS↑则iD↓可变电阻区：对应预夹断前状态特点：固定uGS，uDS↑则iD近似线性↑-----电阻特性固定uDS，uGS变化则阻值变化-----变阻特性uBS0且uBS<0时iD受控于uBS的特性衬调效应又称：背栅效应体效应耗尽型NMOS管PMOS管也有增强型和耗尽型两种。3.2.4P沟道绝缘栅场效应管3.2.4P沟道绝缘栅场效应管3.3场效应管的参数及特点（1）夹断电压UGS(off):iD=0时的uGS值；（2）开启电压UGS(th):增强型管刚开始导电时的uGS值；（3）饱和漏极电流IDSS:uGS=0时的iD值；（4）直流输入电阻RGS:RGS=UGS/IG。在特定工作电流电压下，管子参数的温度系数可以为零。导电方式FET3.4场效应管放大器共源（CS）1．固定偏压电路直流负载线方程直流偏置电压线方程为若已知：例3-3解得（舍去）3.混合偏置电路4．恒流源电路3.4.2动态分析1．微变等效电路对正弦信号输入，有JFET交流小信号等效电路则对正弦信号输入，有2．共源电路3.4.2动态分析通常有,于是3．共漏电路(源极跟随器)3.4.2动态分析而4．源极接电阻的共源放大器4．源极接电阻的共源放大器输入电阻分析输出电阻的电路如图所示。3.4.2动态分析3.4.2动态分析3.4.2动态分析如果忽略、输出电阻的影响3.4.2动态分析如果忽略、的影响3.4.2动态分析3.4.2动态分析3.4.2动态分析3.5场效应管放大器的频率响应3.5场效应管放大器的频率响应用密勒定理将等效。由于输入为恒压源(内阻为零,则时间常数为零)，所以输入端总电容对频率特性没有影响。3.5场效应管放大器的频率响应