Ⅲ-Ⅴ族化合物上张应变Ge的生长和表征的开题报告1.研究背景和意义随着现代电子器件的制造工艺的进步，对于薄膜的生长和控制技术的需求越来越高。其中，III-Ⅴ族化合物是电子器件中常用的材料。Ge是一种具有广泛应用前景的材料，因其与Si基底的晶格匹配度高，可以作为III-Ⅴ族化合物上压应力层中的一种替代材料。通过Ge在III-Ⅴ族化合物上的生长，可以实现生长出高质量、高晶格匹配度的异质结合电子器件，从而推进电子器件的发展。因此，对于III-Ⅴ族化合物上Ge的生长和表征进行深入研究具有重要的意义。2.研究内容和方法本项目计划通过以下几个方面对于III-Ⅴ族化合物上Ge的生长和表征进行研究：（1）III-Ⅴ族化合物上Ge的生长方法：选择MOCVD等生长方法进行实验生长，探究不同生长条件对于Ge生长的影响。（2）Ge层的结构和性质分析：使用X射线衍射、拉曼光谱等分析方法对Ge层生长结构和性质进行表征。（3）Ge层与基底的结合情况：使用TEM等分析方法对Ge层与基底的结合情况进行研究。3.预期成果本研究将对于III-Ⅴ族化合物上Ge的生长和表征进行深入探究，并预计获得以下成果：（1）探究不同生长条件对于Ge生长的影响，寻找优化生长条件的方法。（2）通过X射线衍射、拉曼光谱等分析方法，获得Ge层的结构和性质信息。（3）通过TEM等分析方法，获得Ge层与基底的结合情况信息。（4）初步研究III-Ⅴ族化合物上Ge的生长和表征机制，并为其在异质结电子器件中的应用提供基础数据支撑。4.参考文献[1]D.Li,W.Sun,J.Li,etal.FabricationandcharacterizationofGequantumdotsinAlGaAsbymetalorganicchemicalvapordeposition[J].JournalofCrystalGrowth,2010,312(9):1488–1491.[2]刘点,杨琦,胡捷,等.基于AlAs电泳沉积的In0.2Ga0.8As/Ge异质结的研究[J].南京航空航天大学学报,2016,48(6):795-800.[3]J.H.Ko,J.Joo,J.H.Yim,etal.Insitugrowthofhigh-qualityGeonIn0.53Ga0.47As(001)bymetalorganicchemicalvapordeposition[J].ThinSolidFilms,2008,516(5):6696–6698.[4]刘建华.高质量Ge薄膜外延生长技术及其应用[J].电子元件与材料,2007,26(1):7-13.