MOCVD生长的InN表面与Ⅲ族氮化物上生长Ge的探究的中期报告该中期报告的主要研究内容是探究在MOCVD生长InN表面与Ⅲ族氮化物上生长Ge的过程中的相关问题。文章指出，研究MOCVD生长InN的表面性质对于在其上生长其他材料非常重要，因为表面的扭曲和吸附能会影响其他材料的生长行为。文章介绍了通过扫描电子显微镜和原子力显微镜等手段对InN表面性质进行分析的实验方法，并对实验结果进行了详细的解释和讨论。实验结果表明，InN表面会出现裂纹和孔洞等形变，这些形变对于在其上生长其他材料会带来挑战。接下来，文章探讨了在InN表面和Ⅲ族氮化物上生长Ge的过程中的一些关键问题。文章指出，Ge在InN表面上的生长会受到InN表面结构的影响，而在Ⅲ族氮化物上生长的Ge则更受到衬底表面结构的影响。文章进一步探讨了这些影响对Ge生长和结构的影响，并提出了一些改进的建议，以实现更好的Ge生长。最后，文章结论指出，在进行InN表面和Ⅲ族氮化物上的Ge生长时，需要更加仔细地考虑表面形变和结构对Ge生长过程和结构的影响，并提出了一些未来研究的方向。