GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告本研究的主要目的是探究厚膜GaN和自支撑衬底生长的HVPE技术以及它们的特性。在实验部分，我们使用了一个定制的HVPE反应器，在衬底上生长了几种不同厚度的GaN薄膜，并进行了相关特性测试。我们还尝试使用自支撑衬底，在其中生长了一系列具有不同厚度和形貌的GaN薄膜，同样进行了相关特性测试。在分析部分，我们首先进行了薄膜表面形貌和质量的表征，然后研究了不同厚度下的光电学，电学和力学性能。我们还分析了GaN薄膜与自支撑衬底的界面，探究了其影响因素以及对GaN薄膜性能的影响。初步结果表明，我们成功地生长出了一系列厚度不同的GaN薄膜，并且GaN薄膜在不同厚度下表现出各种各样的电学和光学性能。自支撑衬底的生长结果也表明，不同的形貌和结构会对GaN薄膜的性能产生显著影响。我们还发现，界面缺陷可能会对GaN薄膜性能产生负面影响。综上所述，本研究在厚膜GaN和自支撑衬底方面取得了初步成果，为进一步研究和应用提供了一定的理论和实验基础。