第1章晶体二极管概述1.1半导体物理基础知识硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。本征激发当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。温度一定时：激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。N型半导体：P型半导体杂质半导体中载流浓度计算1.1.3两种导电机理——漂移和扩散半导体的电导率载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。1.2PN结1.2.1动态平衡下的PN结内建电位差：1.2.2PN结的伏安特性PN结——单向导电特性PN结——伏安特性方程式PN结——伏安特性曲线1.2.3PN结的击穿特性因为T载流子运动的平均自由路程V(BR)。1.2.4PN结的电容特性PN结电容1.3晶体二极管电路分析方法1.3.1晶体二极管的模型曲线模型—伏安特性曲线简化电路模型小信号电路模型图解法例1已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。简化分析法例2设二极管是理想的，求VAO值。(2)画输出信号波形方法小信号分析法1.4晶体二极管的应用整流电路稳压电路1.4.2限幅电路(或削波电路)