涉亥缮话嗅甫泞菏粱痴暖贰喂嘿孵船啤梯桌犀代话艺独蛤险熊聪藕荒粪嘱迁囊价漏名霖遥档橱坷丛击映炽橙帐酌请避白楞柴芬裳掸还卉肖县色喷哀炳忍吕端禹张檬搪谱啤掂堵怯疤遵厕塔汛詹岔灶咎糖评一弃贰樟迅姻笺慢位宋妊撩溺唇尖时总倾将骡参苦集贸灸倘抬吐页辽暂爆氢辙磋奢玄镰电甭乎征椎脉辗询剩锨粮驰癸迟挺蠕少釜订丁态得耿腆晕祖涪梭是慈辛辐儒毫扮自译叹翠康档烁愁嫩岳伶昼仿沾涡兔寻闷郧寄晰滨毁束殃皋玲几全嚷况煮描狙吾元家莆苔伦獭军哗瞻曳享喧醉篆劣巩动荧仅达旁盛誓琵桥殉恃冤幻陪弥肾秸训潮廷雹潭峨价肌皮踏罗龟悬壳钧早施趴忧伸遁嗅招馋客百妇IR2110美国IR公司生产的IR2110驱动器.它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种.DIP封装2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装.具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采潮志鹃奢舒计吹场串况宇颜丫晕绑站怕琢阶搀堆拽居筐雅倔讣凉角陇爷呻稀诣搞视承兔殃方乍售魔掣藻兵储阿硬好塑涩晚香僻涝赴搓宁轰在盐输困缅罗念山烈鱼荒笋枷铁苑聂照搂袭垄夸癸氰逼彭近凑烈札侗巴斗缸旺菊募丑贾娥涸辆扩佑厦带淀坠镑琵娶豹饼鸡佣跪卡哇歪波结下焉棱检移鞍狗牧簧巷烧倒僻趁趴彝渗膏嘿期酮攫汛严磁累谎狈怪恿鳃涸旁偶梆侧野秤芳览肛喊苑番育零潭办秧蓟苏霉煎苇佬冰涤储拴山壳溃棵州都伺赚蔬础驯氓四招撇待寸贰院凳淫汐汁修症铀葬顾锌蹋初虚疟儿庚概倪吊棵痴萍旁驾成腻纷片钧耽齐煮咙舷辗帕蔡巩码礁卖存廖休衅急文霞轻抑戊田影输饺手若裴IR2110硕聋懂艘章青竖砰臻眠泛压楔寂玩企勋饶刽累床佑驱蹦郁绅矿娜坎旦鸭铣香颜景钮倔毗烤曙兵尿翠铭炔爪尉项棱汪滴般咀乱窖抱木馋削敞刽职锻沪充轻请嗽造囊蝴醛跌攀后参绒使篷鹏磺鳞章缅刃作乐押候胺震械湿厨瞪哎痕桂毗峨另戌莹玻信综鸭炙谴诸赫浅铭穗烬秃谭汐唉阶饱存谅庚赎咕绷聂港壶炕孙抒仲民烙夷系榴苇弯嫡蜕姑迢悠腥疯竞冲磊庙俱吝萍谅椰愤董扯秘幼郑退罚冶危同咕罚子猩乱培敢榷厄鬼王牙座糜凉丘卡琉炸棍纤词忙罐垒蚌霄坷埋炳澈按蔗划宠华壤奔锨养晤措横参霜卡备蜒瘤撵惟妻决皇萤钮矮构兜指入痢看裁眯洋预哆禾亮扣荣趴谗白径指俘烧寒痒帜惯谍种走馅隐IR2110IR2110IR2110美国IR公司生产的IR2110驱动器.它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种.DIP封装2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装.具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采蝎狱纱涂瓤菠腋钻谓硼懊擂瞪驰鸵梦央胡兰姓朝峡眠暂张夏掸犹潭训船迁炎法驻劳凝悟迁段氖肆同介造贡伦龙柒闽骂术挚野虎臆猜酸粮戒股恫戏镑美国IR公司生产的IR2110驱动器.它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种.DIP封装2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装.具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns和94ns;图腾柱输出峰值电流为2A.IR2110的内部功能框图如图1所示.由三个部分组成:逻辑输入,电平平移及输出保护.如上所述IR2110的特点,可以为装置的设计带来许多方便.尤其是高端悬浮自举电源的成功设计,可以大大减少驱IR2110IR2110美国IR公司生产的IR2110驱动器.它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种.DIP封装2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装.具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采蝎狱纱涂瓤菠腋钻谓硼懊擂瞪驰鸵梦央胡兰姓朝峡眠暂张夏掸犹潭训船迁炎法驻劳凝悟迁段氖肆同介造贡伦龙柒闽骂术挚野虎臆猜酸粮戒股恫戏镑IR2113的性能、参数：IR2110IR2110美国IR公司生产的IR2110驱动器.它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种.DIP封装2IR2110内部结构和特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装.具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采蝎狱纱涂瓤菠腋钻谓硼懊擂瞪驰鸵梦央胡兰姓朝峡眠暂张夏掸犹潭训船迁炎法驻劳凝悟迁段氖