实验安排地点：实验大楼A座2楼时间：05011001（6~14周）周11~2节05011002（6~14周）周41~2节05011003（6~14周）周49~10节05011004（6~14周）周51~2节050110（6~14周）周59~10节05031001（6~14周）周57~8节1实验安排地点：实验大楼A座2楼（6~14周）周19~10节（6~14周）周51~2节（6~14周）周11~2节时间：110611011106110203021101030211卓越（6~14周）周59~10节2第2章半导体三极管与基本放大电路2.1晶体三极管2.2场效应晶体管2.3光敏三极管与光电耦合管2.4电压放大电路2.5射极输出器2.6场效应管放大电路2.7多级放大电路2.8差动放大电路2.9功率放大电路3教学要求1.理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、共集电极放大电路的性能特点。2.掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等效电路分析法。3.了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念，了解放大电路的频率特性、互补功率放大电路的工作原理。4.了解差动放大电路的工作原理和性能特点。5.了解场效应管的电流放大作用、主要参数的意义。42.1半导体三极管2.1.1基本结构集电极CNPN型NPN基极发射极EPNP型集电极CPNP基极发射极E符号：BNPN型三极管CBPNP型三极管CICICBIBBIBEIEEIE5结构特点集电区：面积最大集电极C基区：最薄，掺杂浓度最低集电结基极BNPN发射结E发射极发射区：掺杂浓度最高62.1.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看NPNVB>VEVC>VBPNPVB<VEVC<VBCNBRBEUBBPNRC发射结正偏集电结反偏发射结正偏集电结反偏UCC72.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)00.020.041.501.540.060.080.10<0.0010.70<0.0010.722.302.363.103.183.954.05IE(mA)结论：1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC??IB，IC?IE3）?IC???IB基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小变化基极电流的去控制一个较大变化集电极电流的。双极型晶体管是CCCS器件。3.三极管内部载流子的运动规律集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。基区空穴向发射区的扩散可忽。BRBIBEEIECICBOICENP从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。UCC进入P区的电子UBB少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。N发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。93.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数CICICBOIBBRBIBEICENPUCCICEIC?ICBOIC????IBEIB?ICBOIB若IB=0,则IC?ICE0NEIEUBBIC??IB?(1??)ICBO??IB?ICEO集－射极穿透电流,温度??ICEO?10忽略ICEO，有IC??IB(常用公式)2.1.3特性曲线管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。研究特性曲线的目的1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路。重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线11测量晶体管特性的实验线路ICIB?AmA++VUBE输入回路VUCE输出回路+?RBUCC+?UBB??共发射极电路发射极是输入回路、输龌芈返墓捕?121.输入特性特点:非线性IB(?A)80IB?f(UBE)UCE?常数正常工作时发射结电压：UCE?1VNPN型硅管UBE?0.6~0.7V604020OPNP型锗管0.40.8UBE(V)UBE??0.2~?0.3V死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。13