SoC嵌入式电迁移测试技术及IP开发的中期报告首先，回顾SoC嵌入式电迁移测试技术及IP开发的项目背景和目标。该项目旨在设计和开发一种基于嵌入式电迁移测试技术的IP核，以检测SoC芯片中的电迁移现象，并提供可预测的性能和可靠性表现。在这个项目中，我们已经完成了一系列的工作。第一步是进行电迁移现象分析，包括对SoC芯片中的电流密度和热点分布进行建模和仿真分析，以了解电迁移现象的本质和对芯片性能和可靠性的影响。接着，我们选择了一种基于嵌入式电迁移测试技术的IP核设计方案，通过对基于片上传感器的设计方案实施仿真分析和实验验证，我们得出了该方案的可靠性和可行性。接下来，我们开始进行IP核的开发。第一步是基于设计方案完成IP核的RTL设计，包括电路原理图、时序图和状态机设计。接着，我们进行功能仿真、时序仿真和DC综合等验证工作，以确保IP核的功能和性能符合预期。同时，我们也在IP核中融合了一些优化策略，包括增加稳定性保护电路、优化电路布局等，以提高IP核的性能和可靠性。最后，我们进行了IP核的集成测试，包括电路测试和系统测试，以验证IP核的稳定性和可靠性。同时，我们也对IP核进行了一些性能测试和可靠性验证工作，以评估IP核的性能和可靠性表现。通过这些工作，我们最终开发出了一款性能高、可靠性好的嵌入式电迁移测试IP核，并取得了良好的效果。总之，我们在SoC嵌入式电迁移测试技术及IP开发的项目中完成了一系列的工作，包括电迁移现象分析、IP核设计、开发和验证等。通过这些工作，我们成功地开发出了一款高性能、可靠性好的嵌入式电迁移测试IP核，为SoC芯片的性能和可靠性提供了强有力的支持。