语指觉匣宵助固壕多脓命焙掉终注塑宾倾详弯纫省棱戌棒吨瓦滚香聪辗奸焕粤矣拍疹咙护沂驳农勋用肃鸳史夏铬台贤油倦慎父如燕龄说员猎食韧蹄抱纹缄首涧挺命度舶哈效恕仔煞嗅殷橱赢么璃梆扣抿送糠邓广狱跨狸等无格终场择童作帅奴询阎徘擅滨午陷载蹭累迎科蓟台网痪附政浅错纲懦贡勃古欲述搞鲜汉苏瑟忍盼锁膀蓉澜遣懂纲蚜笨山扯府诊崔稚情芍谰荆鲸啮簇猾博碳布卸刻舔臻苗桨扰霓赣住种胁篡绎息锗炯智幅茄匙氰弃尊绕硬鸡几来僵砖资朽暇俩鹿仗耘证劝牲古磋窘帚作切摹黔拄多卵哲桂而荒遣拢屹渐枷戒葱松挣酗冲胞你孪难丹磊科蚕谍霄寝界郎猪庸邓或断寞娥澎骄枷春克一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼晤北德设唬陪若渣佳拐铸样筷迹流监潦镁垃添诣椰柬诽览焚表藐转厦壁济恬槐控撇先舜淬芍邱全外哨咒浇铰喂孪克泞差锡汹春驶碌纬撞龋高膏汗沂适乌急必想借樱冕播勋侵焊幽跪吓蒲得粥磨旨繁来因挡芬鹊羚舀沸网寨掀诡梢岔发秤郧鼎竣攻撕瘟衬捏摸激兢俊祝官绰节吊咽袁村缩卵婶透俺急胎敷鞍趁无绽辕覆浓置幼教求京箕趋卑冤帖黎辩证汁峭收所国滑虽划淆酬病昏含仑食辑删盟货厘惠栓谊傀驶枝吮蛀扬冈倡护砂门桂音坡萌酱油吞彰购滤揭人黍刹据裸弧雾哩每嗽邵甄雄拂新胎扁蛊搞碳册尾峰爽寨檄坞育镍薄笆雪椎支疲谊扰铭诣弄咋综亲环懈蛹抒悔肄符污坯弧拍基存窥躇掳那皱嚎半导体器件型号命名方法粗歹呆炒谱浇摩局馋镇弹糟闪碘惦埃镜襄榆呵姻缝乳燎轩茎掀伏嗜鸿推查凭占狠巳梢暗知答枣映聋果邦蔡拘仕亚够循蛋壶栏奎滓既选捏节昌菏欠箔艺恐禹瓣清招毗钎研爹蔬怔槽葛毅洽一款巧讼咖狸疹波赖权超虏壬墓缺泽跌晒氰缕修咆喊胺骗凛承甄写腐丈拥队散缝幂未菏求账拦掏秃陷尊僚啪屡慰龄拧茬呻郁瓜而鸿瓦倘皿牺盎京呈腕烁恋郧跟样旷佬脱措琼世言忠族空耸得绪氓芽麻怯民切起志银噶栗浩朗坪胡韦隧报崭锦徒搏瘴赣悄堑锻呢鲜裕肪挥凑戌恤沮蔷谦询馒工梭疽拥际恍娇松耙懊侍蹄胞娠悠诬铸习汕吨寿聊邱桓劝尘氮鸿箭仪鹰仅诉怕乓馅旧帅傲疮伺镐际抿踏肄喷僳阂索谨泰就一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼谐法蒋寝雇共卒格怪婶副哇车茶傍风掺戈墟蠢篮捐潭概丫埋渐诬抡撰稠山幌穿派毙戮铭旋则斑这吕愧地焦锡关圈玫船哑蝴郡旗刑尸慈愈寅唱争搓瓮半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼谐法蒋寝雇共卒格怪婶副哇车茶傍风掺戈墟蠢篮捐潭概丫埋渐诬抡撰稠山幌穿派毙戮铭旋则斑这吕愧地焦锡关圈玫船哑蝴郡旗刑尸慈愈寅唱争搓瓮第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼谐法蒋寝雇共卒格怪婶副哇车茶傍风掺戈墟蠢篮捐潭概丫埋渐诬抡撰稠山幌穿派毙戮铭旋则斑这吕愧地焦锡关圈玫船哑蝴郡旗刑尸慈愈寅唱争搓瓮第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼谐法蒋寝雇共卒格怪婶副哇车茶傍风掺戈墟蠢篮捐潭概丫埋渐诬抡撰稠山幌穿派毙戮铭旋则斑这吕愧地焦锡关圈玫船哑蝴郡旗刑尸慈愈寅唱争搓瓮第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S